EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN TEMA 6: EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN Mª Dolores Borrás Talavera
Región de corte en EC Región de saturación en EC Valores típicos. El interruptor ideal
REGIÓN DE CORTE EN EMISOR COMÚN VCE (V) IC (mA) inversa E C B IB (μA) inversa ZONA DE CORTE IE = 0 IC = ICO Un transistor no está en corte si la base está en circuito abierto 0,1V para Ge 0V para Si VBE es una tensión inversa cuya magnitud es de:
Ic es casi independiente de la corriente de base REGIÓN DE SATURACIÓN EN EMISOR COMÚN VCE (V) IC (mA) directa E C B IB (μA) ZONA DE SATURACIÓN directa VCE = VBE -VBC 0 Ic es casi independiente de la corriente de base
En un transistor de unión NPN a 25ºC VALORES TÏPICOS En un transistor de unión NPN a 25ºC VCEsat VBEsat VBEactiva VBE VBEcorte Si 0,2 0,8 0,7 0,5 0,0 Ge 0,1 0,3 -0,1
VENTAJAS: Menor tamaño Mayor frecuencia de encendidos EL INTERRUPTOR IDEAL +Vcc +Vcc S1 RL S2 Cerrado sat VCE (V) IC (mA) VENTAJAS: Menor tamaño Mayor frecuencia de encendidos No se producen chispas abierto corte
VENTAJAS EL INTERRUPTOR IDEAL Funcionamiento en conmutación de un transistor NPN 12 V 36 W 3 A = 100 40 mA 12 V 36 W R 3 A 12 V IB = 40 mA 4 A IC VCE 3 A PF (OFF) 12 V PF (ON) ON OFF VENTAJAS No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lógico. Electrónica de Potencia y Electrónica digital