Transistor Emisor-común Características graficas

Presentación del tema: "Transistor Emisor-común Características graficas"— Transcripción de la presentación:

1 Transistor Emisor-común Características graficas
Para comprender más fácilmente la manera de conseguir las curvas características que vamos a describir, nos auxiliaremos del circuito de la Figura, donde los valores de las fuerzas electromotrices de los generadores EB y EC son variables y la resistencia RC de bajo valor.

2 Transistor Emisor-común Características graficas
Salida Transferencia Entrada Coeficiente de readmisión Características de la configuración Emisor-común. 𝝁 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑽 𝑪𝑬 | 𝑰 𝑩 𝒓 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 𝜷´= 𝚫 𝑰 𝑪 𝚫 𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 𝝆 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑪𝑬 𝜟𝑰 𝑪 | 𝑰 𝑩

3 Transistor Emisor-común Características graficas de salida
Las características de salida nos proporcionan la variación de la corriente de colector IC cuando varía la tensión entre el colector y el emisor VCE, permaneciendo constante la corriente de base. Las características, como se muestra en la Figura 3-5, son un conjunto de curvas de manera que cada una de ellas se corresponde con una corriente de base diferente. Como se puede apreciar, para valores pequeños de tensión colector-emisor, la corriente crece rápidamente, pero posteriormente se estabiliza, permaneciendo casi paralela al eje de abscisas. Esta última parte recibe el nombre de zona activa.

4 Transistor Emisor-común Características graficas de salida
Si una vez finalizada la obtención de una curva para un determinado valor de la corriente de base, ésta se incrementa, lograremos una nueva curva diferente a la anterior, donde el valor de estabilización de la corriente de colector será superior al de la primera. Por existir una curva diferente para cada valor de IB, se dice que la característica de salida está constituida por una familia de curvas. La zona activa, donde las gráficas son prácticamente rectas y equidistantes, es la que se utiliza en amplificación para reducir lo más posible la distorsión alineal.

5 Transistor Emisor-común Características graficas de salida
La resistencia de salida de un transistor funcionando como un amplificador en montaje EC se puede obtener de estas características, fijando un punto e incrementando la tensión VCE. El valor de la resistencia vendrá dado por la relación entre dicho incremento y el de la corriente de colector, obtenido al proyectar la característica sobre el eje de ordenadas: 𝝆 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑪𝑬 𝜟𝑰 𝑪 | 𝑰 𝑩 La letra griega ρ se utiliza para representar la resistencia de salida. El subíndice e indica que es el valor de la resistencia de salida en montaje EC.

6 Transistor Emisor-común Características graficas de Transferencia
Esta característica relaciona los valores de la corriente de colector y de la corriente de base cuando la tensión colector emisor VCE permanece constante. En transistores de pequeña potencia se aproxima a una recta, tal como se muestra en la característica idealizada de la Figura. A medida que aumenta la potencia de los dispositivos se pierde la linealidad. En este caso existe únicamente una recta, lo que quiere decir que la característica permanece prácticamente invariable aunque se alteren los valores de VCE.

7 Transistor Emisor-común Características graficas de Transferencia
A partir de la característica de transferencia se puede obtener la ganancia de corriente del transistor cuando se le aplica una señal variable. Este parámetro es la relación entre el incremento de corriente de colector y el de la corriente de base.. 𝜷´= 𝚫 𝑰 𝑪 𝚫 𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 Es necesario distinguir la ganancia de corriente en continua β, a la que los fabricantes representan como hFE y que se obtiene sencillamente dividiendo la corriente de colector entre la de base, de la ganancia de corriente de alterna β ', denominada también ganancia de corriente para pequeñas señales, representada en los catálogos con las letras hfe. La diferencia entre ambos parámetros es debida a la falta de linealidad total de la característica. Para valores bajos de IC, hfe > hFE , y para valores altos de IC, hfe < hFE.

8 Transistor Emisor-común Características graficas de Entrada
La entrada de un transistor en montaje EC es un diodo polarizado en sentido directo. La característica se muestra en la Figura, y se obtiene manteniendo constante la tensión VCE, aunque variaciones de esta magnitud no la modifican sensiblemente. De forma análoga al caso anterior, en este cuadrante solamente hay una curva.

9 Transistor Emisor-común Características graficas de Entrada
La resistencia de entrada en alterna se puede obtener mediante la relación de incrementos de las magnitudes VBE e IB : 𝒓 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 Para representar el valor de la resistencia de entrada de un transistor utilizado como amplificador se emplea la letra minúscula r. El subíndice e indica que se trata de un montaje EC.

10 Transistor Emisor-común Características de Coeficiente de readmisión
También es posible obtener la variación de la tensión base-emisor cuando varía la tensión colector-emisor permaneciendo constante la corriente de base, como en el caso de la característica de salida. Aquí nos encontramos con un conjunto de curvas que constituyen también una familia, cada una de las cuales corresponde a una corriente de base diferente. La relación entre el incremento de tensión base-emisor y el incremento de tensión colector emisor se denomina coeficiente de readmisión y se representa con la letra griega µ. 𝝁 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑽 𝑪𝑬 | 𝑰 𝑩 Tanto en EC como en BC este parámetro es prácticamente cero, y por tanto despreciable, cuando se analiza o diseña una etapa amplificadora de alguna de las configuraciones señaladas; sin embargo, en el caso de un montaje CC, µC ≈ 1, por lo que es necesario tenerlo en cuenta junto a los otros tres a la hora de calcular un amplificador de estas características.

11 Transistor Emisor-común Características del montaje
En la Tabla se muestra una relación con los valores típicos de los parámetros de un transistor en montaje emisor-común. 𝝆 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑪𝑬 𝜟𝑰 𝑪 | 𝑰 𝑩 Resistencia de Salida 𝜷´= 𝚫 𝑰 𝑪 𝚫 𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 Ganancia de Corriente 𝒓 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑰 𝑩 | 𝑽 𝑪𝑬 Resistencia de Entrada 𝝁 𝒆 = 𝜟𝑽 𝑩𝑬 𝜟𝑽 𝑪𝑬 | 𝑰 𝑩 Coeficiente de readmisión