El transistor bipolar de unión (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla.

Presentación del tema: "El transistor bipolar de unión (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla."— Transcripción de la presentación:

1 El transistor bipolar de unión (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla las otras dos.

2 Que el participante adquiera criterios generales y competencias técnicas en el reconocimiento y prueba de componentes electrónicos, y montaje de circuitos electrónicos básicos, aplicando normas técnicas y de seguridad. ELECTRÓNICA BÁSICA PRÁCTICA

3 El transistor bipolar de unión (BJT) Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y como interruptores.

4 El transistor de unión bipolar (BJT) está formado por la unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones

5 EL TRANSISTOR BJT

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7 Cómo probar un transistor

8 EL TRANSISTOR BJT

9 Hay 4 variables que dependen el tipo de conexión: V salida, V entrada, I salida, I entrada. Base común Variables: V BE, V CB, I E, I C E B C Emisor común Variables: V BE, V CE, I B, I C B E C B E C Colector común Variables: V CB, V CE, I B, I E Configuraciones del transistor

10 (P) Emisor(P) Colector(N) Base I E I B I nB I BB I nC I pB I C Transistor polarizado en forma activa

11 (P) Emisor(P) Colector(N) Base I E I B I nB I BB I nC I pB I C BC inversa puede conducir si BE directa Los huecos que se difunden de E a B llegan a C  factor de ganancia Transistor polarizado en forma activa

12 (P) Emisor(P) Colector(N) Base IEIE IBIB I nB I BB I nC I pB I B = -I nC + I BB +I nB I C = I pB - I BB + I nC I E = I pB + I nB ICIC I pB, huecos que por difusión pasan del emisor a la base. I nB, electrones que pasan de la base al emisor. I BB, electrones procedentes del circuito para cubrir las recombinaciones. I nC, débil corriente de electrones del colector a la base. Transistor polarizado en forma activa

13 RCRC V CC I B = 1 mA V BB RBRB n C B p n I C = 99 mA I E = 100 mA E 100 % 99 % 1 % RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE ICIC IBIB Configuración en emisor común E C B

14 RCRC RBRB V BE V BB V CE ICIC V CC E C B Curva característica de entrada IBIB V BE IBIB 0,7 V V BE = V BB - I B R B V BE  0,7 V

15 Curva característica de salida V CE (V) ICIC I B = 20 µA I B = 40 µA I B = 60 µA (mA) RCRC RBRB V BE V BB V CE ICIC V CC E C B IBIB V CE = V CC - I C R C

16 Variables: V BE, V CE, I B, I C RBRB RCRC +V CC V salida V entrada RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE ICIC IBIB V BE  0,7 V para silicio I C =  I B V BE = V BB - I B R B V CE = V CC - I C R C ICIC IBIB Emisor común: variables

17 I B = 0 µA I B = 40 µA I B = 20 µA I C ( mA) V CE (V)  Región de saturación  Región activa  Región de corte    I B = 80 µA I B = 60 µA RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE „ „  Ruptura Curvas características del transistor CE

18 V BE = -I B R B + V BB R C =1 k  R B =16 k  V BE V CC =10 V V BB = 2 V V CE ICIC V CC = 10 V IB1IB1 IB2IB2 IB4IB4 IB3IB3  = 100 V BE  0,7 V V CE = V CC - I C R C = 10 - 8,125 = 1,875 V I c =  I B = 8,125 mA Q Q Q Saturación Corte ICIC IBIB Región activa línea de carga Línea de carga y punto de funcionamiento