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Publicada porEugenia Vera de la Cruz Modificado hace 8 años
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Luis Rodríguez Nelson Tovar Daniel Zorrilla Juan Casas
UNION PN Física de semiconductores Luis Rodríguez Nelson Tovar Daniel Zorrilla Juan Casas
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Introducción Cuando 2 semiconductores de diferentes dopajes se unen, se produce un efecto de difusión debido a la diferencia de cargas
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Nivel de Fermi El nivel de Fermi en ambos semiconductores se estabiliza
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Zona de agotamiento En la unión se produce una zona de agotamiento debido a la fuerza de Coulomb de lo iones negativos con los electrones y los iones positivos con los huecos
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Polarización en directa
Cuando se coloca una tensión en donde la parte positiva se conecta a la zona P, y la parte negativa a la zona N, se produce una corriente por el circuito fuente-semiconductor
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Polarización en Inversa
Cuando se coloca una tensión en donde la parte positiva se conecta a la zona N, y la parte negativa a la zona P, la zona de agotamiento crece e impide un flujo de corriente.
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Aplicaciones La unión PN es usada para generar el diodo semiconductor y el transistor bipolar, ambos son componentes muy importantes en la electrónica.
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Conclusiones El gran avance digital es debido al uso de transistores los cuales están basados en la unión de dos semiconductores con diferente dopaje, uno tipo P y el otro tipo N
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Referencias Imagen tomada de: http://www.um.es/LEQ/laser/Ch-6/6-22.gif
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