Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ 12- 14 04-12-2014.

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1 Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ 12- 14 04-12-2014

2  El circuito equivalente de la unión base- emisor polarizada directamente, para efectos solamente de la componente alterna de pequeña señal es una resistencia r π :  La cual es la resistencia dinámica del diodo Base-emisor, siendo fuertemente dependiente del P.O., esto es, de la corriente de base DC.  Por otro lado: El circuito equivalente de la unión colector-emisor polarizada inversamente y para efectos de la componente variable de la corriente en el colector, es una fuente dependiente de la corriente variable en la base.

3  Es decir, siempre que se cumpla que la excursión de P.O., es lo suficientemente pequeña, como para considerar que r π permanece constante, el modelo incremental de alterna para el transistor bipolar ideal,ya sea npn o pnp será:  Modelo ideal, sin considerar efectos secundarios.  Dicho modelo considera que el transistor está previamente polarizado en un P.O, dentro de la Región Activa.

4  Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente dependiente de la corriente incremental de base, es sustituirla por una fuente de corriente dependiente de la tensión incremental base-emisor

5  Los dos modelos alternativos que podemos emplear en el análisis de circuitos incrementales con transistores ideales: v π =v be

6  Útil para análisis en alta frecuencia cuando se considera también las capacitancias parasitas del transistor.  Sin dichas capacitancias el modelo  híbrido es útil sólo para análisis en baja frecuencia. *

7  Efecto Early,  Resistencia de salida  Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada.  Efecto de las resistencias de los bloques de base, colector y emisor.  Efecto de las capacitancias de las uniones (de difusión y de deplexión).  Efecto de capacidades parásitas.  Efecto de la temperatura en los valores de los parámetros.

8 La ganancia β F depende también del valor de V CE, según la expresión:

9 Fue Early el que estudiando este efecto, observó y comprobó que todas las características de salida en la Región Activa, tendían a converger en un punto del eje de abscisas, -V A En el circuito incremental equivalente, el citado efecto se modela por una resistencia en paralelo con la fuente de corriente

10 r b = Resistencia de difusión de base (resistencia del bloque de base), relativamente elevada. Valor típico 100 ohmios. r c = Resistencia de colector. Valores típicos entre 10 y 100 ohmios. (en transistores de baja potencia). r e = Resistencia de emisor, que es sensiblemente mas baja, (1 ohmio)

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12 γ v ce recoge el efecto de la realimentación interna de salida a entrada.

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14 Al igual que en los diodos, en las dos uniones del transistor bipolar aparecen los mismos fenómenos de acumulación de cargas, las llamadas capacidades de difusión y de deplexión, predominando la de difusión en las uniones que estén polarizadas directamente, y la de deplexión en las que las uniones estén polarizadas inversamente. El concepto de capacidades incrementales de difusión y de deplexión es perfectamente aplicable aquí.

15 El circuito de la figura es el modelo dinámico del transistor bipolar, donde aparece también la capacidad de deplexión entre colector y sustrato en circuitos integrados.

16  r b resistencia del bloque de base.  r μ efecto de realimentación interna (normalmente despreciable).  c π Capacidad incremental de difusión.  (La unión base-emisor polarizada directamente).  c μ Capacidad incremental de deplexión.  (La unión base-colector polarizada inversamente) rμrμ rbrb