DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA DIODO SCR TRIAC UJT LASCR GTO PUT DIAC TRANSISTOR

DIODO Ir a menú Tabla de especificaciones, circuito y patillaje El DIODO es uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Los diodo de potencia e caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequeña tensión. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña Intensidad de fuga. Tabla de especificaciones, circuito y patillaje TIPO Especificación de Voltaje/corriente Alta Frecuencia (Hz) Tiempos de conmutación (µS) Resistencia en estado activo (Ω) Símbolo características Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m Alta velocidad 3000 V / 1000 A 10K 2-5 1 m Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m Ir a menú

SCR Ir a menú Tabla de especificaciones, circuito y patillaje El SCR es un dispositivo electrónico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o cátodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO. Tabla de especificaciones, circuito y patillaje TIPO Especificación de Voltaje/corriente Alta Frecuencia (Hz) Tiempos de conmutación (µS) Resistencia en estado activo (Ω) Símbolo características Tiristores de control de fase 1200 V / 5500 A 5K 40 2.1 m Tiristores de conmutación rápida 1000 V / 1000 A 10K 20 0.47 m Ir a menú

TRIAC Ir a menú Tabla de especificaciones, circuito y patillaje El TRIAC es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier dirección. Normalmente tiene una tensión de ruptura y el procedimiento normal de hacer entrar en conducción a un TRIAC es a través de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). Tabla de especificaciones, circuito y patillaje TIPO Especificación de Voltaje/corriente Alta Frecuencia (Hz) Tiempos de conmutación (µS) Resistencia en estado activo (Ω) Símbolo características TRIAC 1200 V / 300 A 400 200 - 400 3.57 m Ir a menú

UJT El UJT es un dispositivo que también se le llama transistor de uní – unión esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). El funcionamiento del UJT es muy similar al del SCR. Ir a menú

LASCR Ir a menú Tabla de especificaciones, circuito y patillaje El LASCR también se le conoce como foto – SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conducción aunque desaparezca esa luz. Tabla de especificaciones, circuito y patillaje TIPO Especificación de Voltaje/corriente Alta Frecuencia (Hz) Tiempos de conmutación (µS) Resistencia en estado activo (Ω) LASCR 6000 V / 1500 A 400 200 - 400 0.53 m Ir a menú

GTO Ir a menú Tabla de especificaciones, circuito y patillaje El GTO es un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fácilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicación de técnicas de modulación de anchura de pulso. Tabla de especificaciones, circuito y patillaje TIPO Especificación de Voltaje/corriente Alta Frecuencia (Hz) Tiempos de conmutación (µS) Resistencia en estado activo (Ω) Símbolo características Transistores desactivados automaticamenteGTO 4500 V / 3000 A 10K 15 2.5 m Ir a menú

PUT El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo ánodo puerta (anode gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el ánodo, es decir, la conduccion del PUT se realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivo perteneciente a la familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares al SCR Ir a menú

DIAC El DIAC es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando cierto umbral de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de un transistor y la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativas son P1N2P2N3 y cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1. Ir a menú

TRANSISTOR El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al de las transistores normales, teniendo como características especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportar y por tanto, las altas potencias en disparar. Existen tres tipos de transistores de potencia: - Bipolar - unipolar o FET ( transistor de efecto de campo) - IGBT Ir a menú