Resultados iniciales en Ag/TiO 2-x /Si Resultados iniciales en Ag/TiO 2-x /Si Néstor Fabián Ghenzi Pablo Levy. CAC Pablo Levy. CAC Fernando Gomez Marlasca.

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1 Resultados iniciales en Ag/TiO 2-x /Si Resultados iniciales en Ag/TiO 2-x /Si Néstor Fabián Ghenzi Pablo Levy. CAC Pablo Levy. CAC Fernando Gomez Marlasca. CAC Fernando Gomez Marlasca. CAC Rubén Weht. CAC Rubén Weht. CAC Maria José Sánchez. CAB Maria José Sánchez. CAB Marcelo Rozenberg. UBA Marcelo Rozenberg. UBA. ghenzi@cnea.gov.ar Charla EPICO 2010. 15 de Abril de 2010. San Martín, Buenos Aires. Argentina.

2 Motivación Óxidos simples: NiO, TiO 2 ….Óxidos simples: NiO, TiO 2 …. Óxidos complejos: Cupratos y Manganitas.Óxidos complejos: Cupratos y Manganitas. Pulsos de polaridad opuesta (Bipolar)Pulsos de polaridad opuesta (Bipolar) Pulsos de la misma polaridad (Unipolar).Pulsos de la misma polaridad (Unipolar). Ambas Polaridades.Ambas Polaridades. Mecanismo del RS no clarificado.Mecanismo del RS no clarificado. Aplicaciones: Memorias, FPGA, redes neuronales, circuitos analogicos, ….Aplicaciones: Memorias, FPGA, redes neuronales, circuitos analogicos, ….

3 Forming La muestra en el estado virgen presenta un comportamiento aislador. Si uno aplica un potencial eléctrico y espera un tiempo adecuado se produce un fenómeno similar al rompimiento dieléctrico. Este proceso de forming solo se necesita en los oxidos binarios. En los oxidos complejos no es necesario. Aplico V=1.7 V entre los terminales A y D y espero…

4 Switching Unipolar y Bipolar Al realizar dos rampas de voltaje positivo en la 1º se observa una transición de un estado HR a LR. En la segunda rampa pasa de LR a HR. HR (4V/1uA) = 4M Ohm LR (4V/13mA)=300 Ohm Luego de varios protocolos de pulsado se probo con pulsos de polaridad opuesta obteniendo switching bipolar. HR (4V/2.3mA) = 1.7 k Ohm LR (4V/10 mA) = 400 Ohm

5 Switching Bipolar

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8 Dependencia con Temperatura

9 Dependencia con Corriente de Complianza

10 Gracias por su atención