Fabricio N. Altamiranda Facundo J. Ferrer.  ASET  Que es?  Como se produce?  Porque?  Modelo  Diseño  Arquitectura  Tecnología  Etapas  Inyección.

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Transcripción de la presentación:

Fabricio N. Altamiranda Facundo J. Ferrer

 ASET  Que es?  Como se produce?  Porque?  Modelo  Diseño  Arquitectura  Tecnología  Etapas  Inyección  Manual  Automática  Análisis y conclusión

“Un Evento de Efecto Único (SEE) es cualquier cambio medible u observable, en el estado o rendimiento, de un dispositivo, componente, subsistema o sistema (analógico o digital) micro-electrónico, resultado del impacto de una única partícula de alta energía.”

 Con el constante avance en los procesos litográficos, las tecnologías de fabricación de circuitos integrados se vuelven mas vulnerables a estos efectos.  El estudio de los SETs en dispositivos digitales se encuentra ampliamente cubierto en comparación con los analógicos.

 Diseño flash  Frec de operación: 100 Khz  Palabra de salida: 6 bits  CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND

 MOSIS WAFER ACCEPTANCE TESTS  Run: T96T (7RF_5LM_MA)  Vendor: IBM- BURLINGTON  Technology: SCN018  Feature size: 0.18 microns  Run type: SKD

 Conversor: 

 Decodificador  Compuertas: 40  Transistores: 400  Tecnología: CMOS 0.18

 Compuertas:  Lógica NAND  2, 3, 4, y 8 entradas  Inversor

Objetivo: Obtener un grupo de resultados confiables. Ventajas: Control total de todos los parámetros de la simulación. Análisis cualitativo del funcionamiento del circuito. Disponibilidad de todos los datos de simulación. Elementos: 3 comparadores. 4 niveles de tensión de entrada. 1 compuerta NAND de 8 entradas. 2 fuentes de inyección

 Vref: 1V  Falla: Exponencial  Nodo: NDOUT

 Vref: 1.315V  Falla: Exponencial  Nodo: NDOUT

 Vref: 1.625V  Falla: Exponencial  Nodo: NDOUT