Fabricio N. Altamiranda Facundo J. Ferrer. 2  Título del Proyecto:  "Errores en sistemas de procesamiento de datos debido a eventos transitorios en.

Presentación del tema: "Fabricio N. Altamiranda Facundo J. Ferrer. 2  Título del Proyecto:  "Errores en sistemas de procesamiento de datos debido a eventos transitorios en."— Transcripción de la presentación:

1 Fabricio N. Altamiranda Facundo J. Ferrer

2 2  Título del Proyecto:  "Errores en sistemas de procesamiento de datos debido a eventos transitorios en interfaces analógicas: aportes a la mitigación de los mismos.“  Acreditado y financiado por la Secretaría de Ciencia y Tecnología de la UTN y por el Ministerio de Ciencia y Tecnología de la Provincia de Córdoba.  Participan en el proyecto dos grupos de investigación  Grupo de desarrollo electrónico e instrumental-Facultad de Matemática, Astronomía y Física de la Universidad Nacional de Córdoba  Grupo de estudios en calidad en mecatrónica (GECAM). Facultad Regional Villa María-Universidad Nacional de Córdoba.

3 Que es?. Como se produce?. Efecto en semiconductores. Clasificación. SEE Porque el análisis?. Modelo. ASET Plataforma. Arquitectura y Tecnología. Componentes. Diseño Manual. Automática. Inyección Resultados. Conclusión. Trabajos futuros. Conocimientos adquiridos. Análisis y conclusiones 3

4 4 “Un Evento de Efecto Único (SEE) es cualquier cambio medible u observable, en el estado o rendimiento, de un dispositivo, componente, subsistema o sistema (analógico o digital) micro-electrónico, resultado del impacto de una única partícula de alta energía.”

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6 6 Etapas del Evento Interacción Pares electrón-hueco. LET (transferencia de energía lineal). Recolección Nanosegundos de duración. Grandes transitorio corriente/voltaje. Difusión Cientos de nanosegundos de duración. Bajos transitorios corriente/voltaje.

7 7  Tipo de Ionización  Directa ▪ Iones Pesados  Indirecta ▪ Partículas Ligeras (protones, electrones, neutrones). ▪ Desencadenamiento de reacciones nucleares.  Tipo de Efecto  Enclavamiento de Evento Único (SEL)  Destrucción de Evento Único (SEB)  Perturbación de Evento Único (SEU) ▪ MBU (Multiple Bits) ▪ SEFI (Functionality Interrupt) ▪ SET (transitorios)

8 Que es?. Como se produce?. Efecto en semiconductores. Clasificación. SEE Porque el análisis?. Modelo. ASET Plataforma. Arquitectura y Tecnología. Componentes. Diseño Manual. Automática. Inyección Resultados. Conclusión. Trabajos futuros. Conocimientos adquiridos. Análisis y conclusiones 8

9 9  En periodos de alta actividad solar, las llamaradas solares afectan desde dispositivos micro-electrónicos hasta tendidos eléctricos y comunicaciones satelitales.  Con el constante avance en los procesos litográficos, las tecnologías de fabricación de circuitos integrados se vuelven mas vulnerables a estos efectos.  Dentro de los tipos de SEEs, los SEUs son los de mayor registro en dispositivos terrestres.  El estudio de los SETs en dispositivos digitales se encuentra ampliamente cubierto en comparación con los analógicos.

10 10  Modelo Exponencial  Proceso de recolección de cargas.  Mayor procesamiento computacional.  Modelo Trapezoidal  Proceso de difusión de cargas.  Fin de perturbación bien definido.

11 Que es?. Como se produce?. Efecto en semiconductores. Clasificación. SEE Porque el análisis?. Modelo. ASET Plataforma. Arquitectura y Tecnología. Componentes. Diseño Manual. Automática. Inyección Resultados. Conclusión. Trabajos futuros. Conocimientos adquiridos. Análisis y conclusiones 11

12  GNU Linux.  Herramientas de código abierto.  Licencia gratuita.  Lenguajes de programación utilizados:  PERL  BASH scripting  Microsoft Windows.  Herramientas propietarias.  Licencias pagas (UCC).  Lenguajes de programación utilizados:  Python  BATCH scripting http://www.gpleda.org http://www.cadence.com 12

13  Requisitos del conversor:  6 bits de resolución de salida.  Frecuencia de funcionamiento de 100KHz.  Tensiones de alimentación 3.3voltios.  Rango de conversión de 0 a 1 voltio.  Tecnología de diseño: IBM Semiconductor 0.18 Micron 7RF CMOS Process CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND 13

14 14  Características:  Ganancia > 24.500.  Corrientes de Bias: 105uA.  Corriente en rama de salida: 1.05mA.  Tensión de Bias: 1V.  VINpos cumple: 1V < VINpos < Vref  Tiempo de respuesta escalón tLH < 7.5 uS.  Tiempo de respuesta escalón tHL < 3.5uS.  Máximo Offset de cruce entre: -0.1mV y 0.2mV CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND

15 15  Compuertas:  Lógica NAND de 2, 3, 4, y 8 entradas y lógica INVERSORA.  Cruce simétrico de compuertas (1.4v - 1.7v)  Tiempo de respuesta escalón tHL < 100pS.  Tiempo de respuesta escalón tLH < 90pS. CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND

16 16  Decodificador  Compuertas NEGADORAS y NANDs de 2, 4 y 8 entradas.  Excursión de la señal de entrada 0 a 2 voltios.  Tiempo de retardo tLH < 790 pS.  Tiempo de retardo tHL < 260 pS.  2 entradas de conexión de alimentación.  63 entradas de código termómetro.  6 salidas de código binario.  Error digital 1/2LSB =5mV. CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND

17 17 - Conversion 6 bits. - Retardo de transición menores a 7uS. - Tensión de alimentación de 3.3 voltios. - Tensión de Bias de 1 voltio. CONVERSOR FLASH Analógico DIVISOR RESISTIVO COMPARADOR Digital DECODIFICADOR NEGADOR COMPUERTAS NAND

18 Que es?. Como se produce?. Efecto en semiconductores. Clasificación. SEE Porque el análisis?. Modelo. ASET Plataforma. Arquitectura y Tecnología. Componentes. Diseño Manual. Automática. Inyección Resultados. Conclusión. Trabajos futuros. Conocimientos adquiridos. Análisis y conclusiones 18

19 19 Puntos de inyección: 64 niveles de tensión: por 2 tipos de fallas: Características del proceso: Señal de entrada discretizada (64 niveles) Fallas (fuentes de corriente): Exponencial Trapezoidal Inyección: Drenadores únicamente Identificación del tipo de transistor Configuración del conexionado del modelo según efecto producido. Cuantificación de los puntos a inyectar.

20 20 Objetivo: Obtener un grupo de resultados confiables. Ventajas: Control total de todos los parámetros de la simulación. Análisis cualitativo del funcionamiento del circuito. Disponibilidad de todos los datos de simulación. Desventajas: Configuración compleja Propenso a errores Tiempo requerido por simulación: Alto Elementos: 3 comparadores. 4 niveles de tensión de entrada. 1 compuerta NAND de 8 entradas. 2 fuentes de inyección

21 21  Falla: TRAPEZOIDAL  V REF : 1.315 voltios  Nodos de conexión:  La señal de entrada se conecta a la entrada inversora (INNEG)  La señal de referencia se conecta a la entrada no- inversora (INPOS)  Nodos de inyección:  NDout_N  Ndout_P  Nodo graficado:  NDOUT=Salida del comparador (OUT).

22 22  Transistor de inyección:  NDout_P (inyección en drenador de transistor P)  Al inicio: ▪ Vin = VREF+8mV = 1.323V => CERO ▪ Vin = VREF+5mV = 1.320V => CERO ▪ Vin = VREF-5mV = 1.310V => UNO ▪ Vin = VREF-8mV = 1.307V => UNO  Luego de la inyección:  Cambio de estado lógico: ▪ Vin = VREF+8mV = 1.323V => UNO ▪ Vin = VREF+5mV = 1.320V => UNO  Variaciones de tensión ▪ Vin = VREF-5mV = 1.310V => UNO + mV. ▪ Vin = VREF-8mV = 1.307V => UNO + mV.

23 23 CONSIDERACIONES  Máxima variación ocurrida a la salida durante la simulación.  Duración desde el inicio del evento hasta el restablecimiento de la tensión de salida. COMPARACIONES  Distinta duración de los eventos.  Variaciones de tensiones similares.  Similitud en agrupación de eventos.

24 24 Objetivos Determinar la sensibilidad del conversor a los ASETs. Ventajas Tiempo requerido por simulación: bajo Disminución de la duración de cada simulación. Simulación de todos los nodos intervinientes. Pre-análisis de los resultados. Desventajas Poco control sobre los parámetros de las simulaciones. Tiempo de configuración de la aplicación: Alto Elementos 63 comparadores 64 niveles de tensión de entrada 2 fuentes de inyección Ambiente virtualizado Aplicación de inyección y análisis

25 25  La campaña de inyección automática se dividió en 4 etapas: Codificación Análisis, y elección del lenguaje de programación Desarrollo de los algoritmos. Implementación Inyección Determinación de los puntos de inyección. Generación de archivos y almacenamiento en la base de datos Simulación Configuración del ambiente virtualizado Simulación y almacenamiento en la base de datos Pre-análisis Detección de salidas erróneas Determinación de la duración y amplitud del efecto Generación automática de tablas

26 26 Análisis y elección del lenguaje de programación Creación de múltiples interpretes para los diferentes formatos de archivos:.CIR (Descripción de circuitos).CSD (Datos de simulación comunes).CSV (Descripción de tablas) Desarrollo de los algoritmos Creación de la interfaz gráfica. Implementación Codificación

27 27 Inyección Seleccionar las fallas Determinación de los nodos y definición del criterio Generación de archivos Almacenamiento en la base de datos

28 28  Simulación  Medición de tiempos y puesta a punto de Configuración del ambiente virtualizado  Simulación y almacenamiento en la base de datos

29 29  Pre-análisis  Determinación de nodos con salidas erróneas.  Determinación de la duración del evento.  Determinación de las variaciones de amplitud.  Generación e importación automática de tablas.

30 Que es?. Como se produce?. Efecto en semiconductores. Clasificación. SEE Porque el análisis?. Modelo. ASET Plataforma. Arquitectura y Tecnología. Componentes. Diseño Manual. Automática. Inyección Resultados. Conclusión. Trabajos futuros. Conocimientos adquiridos. Análisis y conclusiones 30

31 31  Falla tipo trapezoidal:  Genera mayor cantidad de errores.  Afecta en 93% a transistores PMOS.  Genera mayor perturbación en el equilibrio de las corrientes de los nodos afectados.  Falla tipo exponencial:  Afecta en mayor medida a transistores tipo N. (63% NMOS y 37% PMOS)

32 32  La cantidad de errores aumenta con:  Aumento de la tensión de entrada.  Trapezoidal: Acelerado y lineal.  Exponencial: Lento y escalonado.  Y disminuye con:  Aumento en el comparador inyectado (aumento la tensión de referencia conectado a él).  Comparador 32 no posee lógica conectada a su salida.

33 33  El nodo NDOUT_P (transistor M12) es el nodo más sensible del circuito  El nodo NDNEG_P (transistor M3) es el menos sensible del circuito  Bit MSB:  El total de las fallas exponenciales repercutieron en él.  No posee lógica combinacional adherida.  Bit LSB:  El bit con mayor cantidad de fallas.  La lógica combinacional provee un efecto de filtrado.

34 34  CONCLUSIONES  Se determinó la sensibilidad del circuito a los diferentes tipos de fallas.  Se estableció una clara dependencia entre el aumento de la sensibilidad del circuito con el aumento de la señal de entrada.  Los errores disminuyen siguiendo una relación lineal a medida que la señal de referencia en los comparadores va aumentando.  Se identificó al nodo más sensible de cada comparador (NDOUT_P ).  Se pudo determinar que la lógica combinacional ofrece un efecto de filtrado luego de observar que todos los errores para la falla exponencial ocurrieron al inyectarse en el comparador 32.  Los transistores del tipo P representan 2.023 errores contra 274 ocurridos por inyecciones en transistores N, quedando así determinada su sensibilidad.

35 35  TRABAJOS FUTUROS  Se podría analizar el efecto producido al adicionar dos inversores en serie a la salida del comparador 32. Esta modificación no alteraría la función lógica, pero si agregaría un efecto de filtrado similar al de las demás compuertas.  Se podrían realizar pruebas de re-dimensionamiento del transistor P conectado al nodo NDOUT, o adicionar al circuito alguna topología especial de control de corriente en la rama.

36 36  Diseño analógico/digital.  Efecto de la radiación en semiconductores.  Entornos de desarrollo micro-electrónico bajo diferentes sistemas operativos.  gEDA (Linux)  OrCAD (Windows)  Entorno de desarrollo de aplicaciones.  Python  Qt4  Microsoft Office (procesador de textos, de hojas de calculo y de presentaciones)  Tortoise SVN (Google Code – http://fiocs.googlecode.com) http://fiocs.googlecode.com

37 37 Gracias