20 V 2. (12.5 ptos) Diseñe el circuito de forma que la corriente IDS se mantenga dentro de los valores de 4mA ± 0.5 mA RD R1 JFET R2 RS
2 vDS> vGS +vPO = 4 - 1.3167 = 2.6833 V iPO = 10 mA iDS = 4.5 mA Diseñe el siguiente circuito de forma que la corriente IDS sea de 4mA ± 0.5 mA vGS = RD -1.3167 V R1 iDS = IP0 vGS vP0 1 + 2 iPO = 4 mA iDS = 3.5 mA vPO =0.5 V JFET vGS = -0.0323V R2 -1.3167 V 4.5 mA RS VGG = VGS + RS iDS VGG = 4.46 V -0.0323 V 3.5 mA RS = 1284 Ω VGG = VGS + RS iDS vDS> vGS +vPO = 4 - 1.3167 = 2.6833 V RD < 2.564 K Ω 4.46 V R2 VGG = 20 V R1 + R2 R1 = 15.54 MΩ R2 = 4.46 MΩ
2 vDS> vGS +vPO = 6 - 3.154 = 2.846 V iPO = 20 mA iDS = 4.5 mA Diseñe el siguiente circuito de forma que la corriente IDS sea de 4mA ± 0.5 mA vGS = RD -3.154 V R1 iDS = IP0 vGS vP0 1 + 2 iPO = 8 mA iDS = 3.5 mA vPO = 2 V JFET vGS = -0.677 V R2 -3.154 V 4.5 mA RS VGG = VGS + RS iDS VGG = 8V -0.677 V 3.5 mA RS = 2477 Ω VGG = VGS + RS iDS vDS> vGS +vPO = 6 - 3.154 = 2.846 V RD < 1.335 K Ω 8 V R2 VGG = 20 V R1 + R2 R1 = 12 MΩ R2 = 8MΩ