Memorias

Memoria interna Def: dispositivo que mantenga constancia de lo ocurrido en el pasado. El elemento básico de almacenamiento es el biestable que almacena 1 bit. Un conjunto de biestables forman los registros, donde se almacena las palabras. Se almacenan los datos y las intrucciones. Se encuentra dividida por celdas o palabras que identifican mediante una dirección.

El ancho de palabra vendría determinado por el bus de datos. Su capacidad se mide en gigas, megas , kilo (bits o palabras)

Jerarquía de memoria

Jerarquia de memoria Memoria interna Memoria externa Principio de inclusion “fallo en memoria” Precio, tiempo de acceso y capacidad

Tipos de memoria Solo lectura: ROM (Read Only Memory). No pierden información en ausencia de alimentación. Lectura/Escritura: RAM( Random Access Memory). Pierden la información en ausencia de la alimentación.

Características Ciclo de reloj Tiempo de ciclo Ancho de banda Tiempo de acceso Latencia CAS

Características Ciclo de reloj: velocidad de la memoria se mide en Mhz o Ghz Tiempo de ciclo: tiempo mínimo entre dos lecturas sucesivas Ancho de banda: número de palabras que se transfieren la memoria y la cpu por unidad de tiempo Tiempo de acceso: tiempo máximo que se tarda en leer o escribir el contenido de una posición de memoria. Latencia CAS: Numero de ciclos de reloj que transcurren a partir del tiempo que la petición de datos es enviada a la posición de memoria actual hasta que los datos sean transmitidos del modulo.

ROM ROM (Read only memory). Programada por máscara. PROM (Programable Read only memory). Soo se progrmaa una vez porque se funden los fusibles. EPROM (Electrically Programable ROM) EEPROM (Electrically Erasable PROM). Borrado eléctrico

RAM SRAM (Static RAM) DRAM (Dynamic RAM) Memoria volátil Son caras Ejemplo la memoria caché DRAM (Dynamic RAM) Es más pequeña que la SRAM Es mas barata Fácil de encontrar respecto a la SRAM

Evolución de las DRAM FPM DRAM (Fast Page Memory) Es una memoria asíncrona y la característica más importante es que cuando tenia que acceder a datos de memoria consecutivos, lo hacia de manera muy rápido ya que dentro de un mismo bloque de memoria las direcciones consecutivas se accedía de manera muy rápida.

Evolución de las DRAM EDO RAM (Extended Data Output RAM) Permite solapar las distintas fases de lectura o escritura para operaciones sucesivas de memoria asíncrona, permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos.

Evolución de las DRAM SDRAM (Synchronous RAM) Memoria síncrona ya que tiene la misma velocidad del sistema lo que permite transferir ráfagas de datos a velocidades bastantes altas (100Mhz a 2.1 Gb/s)

Evolución de las DRAM RDRAM (Rambus RAM) Memoria creada por la empresa rambus. En el interior dos o mas bloques de celdas actuan en paralelo de manera que mientras unos hacen el acceso en otro se realiza la precarga. Ejemplo de esta memoria la play station II

Evolución de las DRAM DDR RAM (Double Data Rate ) Memoria síncrona que envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj, uno en el flanco de bajada y otro en el flanco de subida. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj.

Memorias DRAM

Tipos de módulo de memoria SIMM (Single inline Memory Module) los contactos estan por solo una superficie. DIMM (Dual inline MEmory Module) los contactos están por las dos superficies. SODIMM (Small Outline DIMM) Igual que las DIMM pero para portátiles. RIMM (Rambus Inline Memory Module). Son como las DIMM pero con asignación de pines distinta se usa en módulos RDRAM.