Reunión Santander EURECA : IMM 16 de Noviembre de 2007 Instituto de Física de Cantabria (CSIC-UC)
Estructura de la presentación. Sistema de crecimiento de Au y Mo. Protocolo de crecimiento. Propiedades estructurales: - Topografía mediante AFM. - XRD: Cristalinidad.
Crecimiento Au: Nuevo sistema Au mediante Sputtering triodo. V cátodo = de –2kV a –1kV. Potencial de plasma = 35 V. Tasa de crecimiento = 1,5Å/s a 2,5Å/s. H confinamiento 10 Oe. P base 10 -8 mbar Substratos de Si y de vidrio. P Ar =8 x mbar Magnetrón
Crecimiento Mo : Protocolo de crecimiento Mo mediante Magnetrón. V cátodo = 210 W. Tasa de crecimiento = 7Å/s a 9Å/s. P base 10 -8 mbar Substratos de Si y de vidrio. P Ar = 2-10 x mbar CÁTODO REFRIGERADO! Protocolo de crecimiento: -Limpieza de cátodo 5min y calculo de tasa. -Transferencia de muestra cuando P base < 1.5 x 10-6 mbar -Se deja magnetrón encendido durante la transferencia y se cuenta el tiempo.
Crecimiento Mo : Protocolo de crecimiento Mo mediante Magnetrón. Tasa de crecimiento = 7 Å/s a 9Å/s. (Inficón escalón por AFM) P base 10 -8 mbar Substratos de Si y de vidrio. P Ar = 2-10 x mbar
Crecimiento Mo Mo mediante Magnetrón a Potencia Constante V cátodo = 210 W ctes= Pot = cte= I(Corriente Iones)xV(E. inicial Átomos magnetrón) Tasa de crecimiento = 7 Å/s a 9Å/s. (Inficón escalón por AFM) P base 10 -8 mbar Substratos de Si y de vidrio. P Ar = 2-10 x mbar V cátodo = 210 W = 210 I(Corriente Iones)x V(Energía) Tasa = f(Energía, Corriente Iones) Mínimo de energía inicial
Molibdeno: AFM P(Ar)=2*10 -3 mbar RMS(programa) ~ 0.27 nm
Molibdeno: AFM P(Ar)=8*10 -3 mbar RMS(programa) ~ 0.37 nm
Molibdeno: AFM P(Ar)=1*10 -2 mbar RMS(programa) ~ 0.37 nm
Molibdeno: AFM Antes vs Ahora RMS(programa) ~ 0.4 nmRMS(programa) ~ 3.5 nm
Molibdeno vs Substrato: AFM RMS(programa) ~ 0.4 nm
Au(de –1 kV a –2kV): AFM RMS(programa) ~ 5 nm
Espectro XRD –2kV.
XRD Au distintos kV.
Parámetro de red de Au
Mo a diferentes presiones, 210W.
Parámetro de red de Mo. Contribuciones a las tensiones: Potencial de cátodo: Frenado del plasma