Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p”

Presentación del tema: "Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p”"— Transcripción de la presentación:

1 Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p”
con una banda prohibida ancha. Actividades: Deposito de contactos metálicos multi-capas sobre p-GaAs y p-GaN: Ni-Au, In-Au, Pd-Au, ect. Recocido en gases diferentes: aire, N2, N2+O2, etc Medición de I-V, PL y otros características de las estructuras. -Medición con método SIMS perfiles en profundidad sobre estructuras con contactos. -Implantación de In en estructura: película metálica-semiconductor. -Simulación de implantación iónica en semiconductores con el método de Monte - Carlo. Difractograma y Característica I-V de un contacto recosido. Perfiles de SIMS para dos contactos de Au/Ni/GaN y In/GaN Estudio: Técnica SIMS, XRD, AFM/SCM, PL, SKM, técnica de implantación de iones, mediciones I-V, recocido en vacio y varias gases. Nivel: Maestría y doctorado.

2 Tema II. Estudio de la difusión en semiconductores
Actividades: - Construcción de una estufa de alto vacío (10-6 Torr) para calentar muestras semiconductores hasta la temperatura de 1200oC; - Construcción de una línea de gases (N2, Ar, H2+N2, etc) para hacer un recosido en gases diferentes; Preparación de las muestras de prueba por implantación de cristales semiconductores y depósito de una película de silicio amorfo como un fuente del hidrógeno; Deposito de los contactos metálicos sobre GaN/AlGaN; - Mediciones con SIMS de perfiles de profundidad para elementos difundidos; - Comparación de perfiles para varias temperaturas y varias gases; Estufa de alto vacio Difusión de Ar en GaN estimulado por radiación Re-distribucion de Na en Si después de recosido con varias temperaturas Estudio: Técnica SIMS, técnica de implantación de iones, efecto de difusión, construcción y uso de los sistemas de alto vacío. Nivel: Maestría, doctorado

3 Tema III. Investigación de la morfología superficial después del bombardeo con iones acelerados (ion sputtering). Actividades: - Estudio teórico de la formación morfológica superficial bajo el bombardeo iónico. - Preparación de cráteres experimentales por erosión iónica con iones de Oxigeno y de Cesio (ion sputtering) sobre los semiconductores de interés. Variación del tipo de iones de bombardeo, su energía y ángulo de incidencia. Mediciones de rugosidad superficial por el método microscopia de fuerza atómica (AFM) o con un perfilómetro de punta. Estudio de aplicación de los superficies nano-estructurados a) Microscopio de Fuerzas Atómicas Solver-Next (NT-MDT). b) Mapa superficial 3-dimensional de un cristal de CdS después del bombardeo iónico con iones de cesio. Estudio: técnica AFM, efecto de “ion sputtering”. Nivel: Maestría y doctorado Formacion de piramides sobre superficie de epi- GaN por bombardimiento con iones de O2+ con energia 12.5 keV

4 Tema IV. Investigación de la morfología y características
eléctricas de las hetero-estructuras semiconductoras Actividades: Medición de la resistencia y del potencial superficial local sobre varias semiconductores. Preparación de biseles y comparación entre estructura de los capas y sus características eléctricas investigación de p-n unión. Descubrimiento de técnicas nuevas para una caracterización eléctrica local superficial. Relieve (arriba) y distribución de la potencial superficial sobre p-n unión en Si (sección transversal) 500nm Resistencia local superficial de GaN Izquierda: AFM imagen de una celda solar de CdTe/CdS (sección transversal) . a) imagen de topografía. b) imagen de la potencial superficial (posición de p-n unión). Vbias= 0.5 V Estudio: Técnicas AFM, EFM, SKM, FMM, LFM, MFM, otras. Nivel: Maestría y doctorado