El transistor bipolar de unión (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla las otras dos.

Que el participante adquiera criterios generales y competencias técnicas en el reconocimiento y prueba de componentes electrónicos, y montaje de circuitos electrónicos básicos, aplicando normas técnicas y de seguridad. ELECTRÓNICA BÁSICA PRÁCTICA

El transistor bipolar de unión (BJT) Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y como interruptores.

El transistor de unión bipolar (BJT) está formado por la unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones

EL TRANSISTOR BJT

Cómo probar un transistor

EL TRANSISTOR BJT

Hay 4 variables que dependen el tipo de conexión: V salida, V entrada, I salida, I entrada. Base común Variables: V BE, V CB, I E, I C E B C Emisor común Variables: V BE, V CE, I B, I C B E C B E C Colector común Variables: V CB, V CE, I B, I E Configuraciones del transistor

(P) Emisor(P) Colector(N) Base I E I B I nB I BB I nC I pB I C Transistor polarizado en forma activa

(P) Emisor(P) Colector(N) Base I E I B I nB I BB I nC I pB I C BC inversa puede conducir si BE directa Los huecos que se difunden de E a B llegan a C  factor de ganancia Transistor polarizado en forma activa

(P) Emisor(P) Colector(N) Base IEIE IBIB I nB I BB I nC I pB I B = -I nC + I BB +I nB I C = I pB - I BB + I nC I E = I pB + I nB ICIC I pB, huecos que por difusión pasan del emisor a la base. I nB, electrones que pasan de la base al emisor. I BB, electrones procedentes del circuito para cubrir las recombinaciones. I nC, débil corriente de electrones del colector a la base. Transistor polarizado en forma activa

RCRC V CC I B = 1 mA V BB RBRB n C B p n I C = 99 mA I E = 100 mA E 100 % 99 % 1 % RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE ICIC IBIB Configuración en emisor común E C B

RCRC RBRB V BE V BB V CE ICIC V CC E C B Curva característica de entrada IBIB V BE IBIB 0,7 V V BE = V BB - I B R B V BE  0,7 V

Curva característica de salida V CE (V) ICIC I B = 20 µA I B = 40 µA I B = 60 µA (mA) RCRC RBRB V BE V BB V CE ICIC V CC E C B IBIB V CE = V CC - I C R C

Variables: V BE, V CE, I B, I C RBRB RCRC +V CC V salida V entrada RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE ICIC IBIB V BE  0,7 V para silicio I C =  I B V BE = V BB - I B R B V CE = V CC - I C R C ICIC IBIB Emisor común: variables

I B = 0 µA I B = 40 µA I B = 20 µA I C ( mA) V CE (V)  Región de saturación  Región activa  Región de corte    I B = 80 µA I B = 60 µA RCRC RBRB V BE V CC V BB V CE „ „  Ruptura Curvas características del transistor CE

V BE = -I B R B + V BB R C =1 k  R B =16 k  V BE V CC =10 V V BB = 2 V V CE ICIC V CC = 10 V IB1IB1 IB2IB2 IB4IB4 IB3IB3  = 100 V BE  0,7 V V CE = V CC - I C R C = ,125 = 1,875 V I c =  I B = 8,125 mA Q Q Q Saturación Corte ICIC IBIB Región activa línea de carga Línea de carga y punto de funcionamiento