 También llamado transistor monounión, uniunión.  Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo.  Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores, generadores de onda, y màs importante aùn, en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p (pocos huecos en su estructura) y la región n débilmente dopado con n ( pocos electrones libres en su estructura). Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩ, estando el emisor abierto).

El modelo equivalente representado en la siguiente figura esta constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, RB1 y RB2. MODELO EQUIVALENTE También la resistencia interna total es conocida como resistencia interbase: RB1+RB2 = RBB

MODO DE OPERACION Cundo el voltaje entre emisor y base1 (V EB ) es menor que un valor llamado voltaje pico (V p ) el UJT esta apagado, no hay flujo de corriente de E a B1. Cuando (V EB ) es mayor que (V p ), el UJT se dispara o enciende. Al ocurrir esto el circuito de E a B1 es casi un cortocircuito. Y en la mayoría de los casos la descarga de corriente de E a B1 es de corta duración, y el UJT se vuelve a apagar.

Al aplicar voltaje entre B2 Y B1 DEL UJT ( V B2B1 ), el V P será entonces un porcentaje fijo del voltaje aplicado entre las bases B1 y B2 ( V B2B1 ), mas 0.6v de la unión PN, ese porcentaje fijo se llama, razón intrínseca o de inactividad (n) del UJT. Donde Vp = (n V B2B1 ) + o.6v

Análisis con la grafica En la siguiente grafica se describen las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (IE) con la corriente de emisor(IE). Se definen también dos puntos críticos, punto de pico Vp,Ip y punto de valle Vv, Iv que a su vez definen a otros tres puntos mas que se explicaran a continuación.

Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dV E /dI E < 0). En esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (I P < I E < I V ).

Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de corte.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,55 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 20V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma: Vp = ((0.55 x 20v )+(0.6v))= 11.6v Vp = (n V B2B1 ) + o.6v

Aplicaciones del UJT Oscilador de Relajación  Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs  El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.  El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.  Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la línea verde en el siguiente gráfico)  El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el capacitor C como el resistor RE R1 y R2 también son importantes para encontrar la frecuencia de oscilación. La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/REC Es muy importante saber que RE debe tener valores que deben estar entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes fórmulas: RE máximo = (Vs - Vp) / Ip RE mínimo = (Vs - Vv) / Iv

VS-VP = ES EL VOLTAJE DISPONIBLE A TRAVES DE R E EN EL MOMENTO DEL DISPARO. Se necesita REmax para que pase una corriente mínima de algunos MicroAmpers por el Emisor, para disparar con éxito el UJT aun, si se alcanza el voltaje de pico Vp. Cuando el UJT se dispara la resistencia interna RB1 cae casi a 0 volts, causando la aparición de un voltaje de pico, en la terminal B1.

RE min es para asegurar el apagado del UJT después del disparo, ya que el UJT se apaga cuando el capacitor se descarga al punto al que ya no puede entregar una corriente al emisor igual a la corriente de valle Iv. OTRO PUNTO IMPORTANTE ES QUE EL UJT REPRESENTA UNA GRAN ESTABILIDAD FRENTE A LA TEMPEPERATURA.

TEMPORIZADOR CON UJT ESTE ES UN CIRCUITO DE TEMPORIZACION CON UJT Y FUNCIONA DE LA SIGUIENTE MANERA.

Cuando se cierra el interruptor se produce un retardo ajustado por medio de RE. En si al momento del cierre del interruptor los 24v de la fuente se aplican a R3, pero R3 esta ajustada para que no pase mucha corriente y energice la bobina del relevador pero lo suficiente para mantener la bobina energizada después de haber sido esta encendida. El capacitor se carga a través de REF y el potenciómetro REV, a una razón determinada por el potenciómetro y cuando el capacitor alcanza un voltaje bastante alto el UJT se dispara, descargando el capacitor en la bobina del relevador. El pulso en la bobina cesa casi instantáneamente pero la corriente de R3 es ahora suficiente para mantener el relevador encendido. El retardo esta dado por la formula siguiente: T=(REF+REV)CE

Circuito de disparo para SCR Como se puede apreciar en la imagen este es un circuito de disparo para un SCR y también este mismo funciona para disparar TRIACS, su funcionamiento es como sigue:

Hay dos tipos de transistores monounión: El transistor monounión original, o UJT. (El 2N2646 es la versión más utilizada del UJT). El transistor monounión programable o PUT, es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo). ¿Sabias que?

El PUT TRANSISTOR DE UNIUNION PROGRAMABLE El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

El cátodo de un PUT corresponde a la base 1 de un UJT. Además como en un UJT el cátodo del PUT es la terminal de referencia donde se miden todos los voltajes. El ánodo del PUT corresponde al Emisor del UJT. El voltaje del ánodo de un PUT aumenta hasta alcanzar un valor critico determinado llamado voltaje de pico que dispara la PUT. La puerta de un PUT tiene una correspondencia aproximada con la base 2 del UJT. Tratándose del PUT este recibe un voltaje de un circuito externo que determina el voltaje de pico de acuerdo con la formula: Vp=Vg +0.6v.

Un PUT es diferente de un UJT en que su VP es determinado por un circuito externo en lugar de una razón de inactividad intrínseca asociada al transistor emisor, esto es lo que hace al dispositivo programable; por medio de ajuste de un circuito externo se puede seleccionar el VP deseado. VG= 20v(R4/(R4+R2)) VP=VG+0.6V