El Transistor de Unión Bipolar (BJT) Jesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad Arroyo Dpto. de Electrónica
BJT (Bipolar Junction Transistor) Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN. Tres zonas de dopado: Emisor: zona muy dopada. Base: zona estrecha y poco dopada. Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.
Transistores PNP y NPN TRANSISTOR ESTRUCTURA EQUIVALENTE SÍMBOLO NPN
FUNCIONAMIENTO El diodo emisor se polariza en directa El diodo colector en inversa
FUNCIONAMIENTO Base y Emisor son una unión PN polarizada en directa. Sí Vee > 0V los e- del emisor se acercan a la barrera.
FUNCIONAMIENTO Cuando Vee > Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce. Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base está poco dopada, la corriente es pequeña.
FUNCIONAMIENTO Si Vcc>0 el diodo de colector está en inversa. Los e- del emisor son atraídos por el colector. Base muy estrecha => los e- pueden atravesar la barrera y pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayoría de e- pasan al colector y unos pocos a la base.
FUNCIONAMIENTO : Característica de cada transistor IB : Característica de cada transistor - Porcentaje de e- que pasan a C (0 – 1) - Muy elevado (0.95-0.99)
FUNCIONAMIENTO : Ganancia. Característica de cada transistor IB : Ganancia. Característica de cada transistor Relación entre IB e IC (0 - )
FUNCIONAMIENTO En resumen: IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
FUNCIONAMIENTO En resumen: IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
FUNCIONAMIENTO En resumen: IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
FUNCIONAMIENTO En resumen: IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB