ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C.

Slides:



Advertisements
Presentaciones similares
Tema 7.- Transistores bipolares1 INTRODUCCIÓN Son dispositivos de estado sólido (semiconductores) Tienen tres terminales: Emisor, base y colector.
Advertisements

Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores
TRANSISTORES BJT:.
Introducción a la Electrónica
Electrónica Componentes activos.
Transistor bipolar.
El Transistor de Unión Bipolar (BJT)
ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES
Semiconductores.
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS
Transistores PNP en la configuración base común
Transistores Bipolares
Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ
Polarización Electrónica I.
TRANSISTORES BJT KENEDY ZUÑIGA YERSON FIGUEROA DIEGO ALEXANDER DULCE KENEDY ZUÑIGA YERSON FIGUEROA DIEGO ALEXANDER DULCE.
Símbolo. Características Clasificación de los transistores
EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN
TEMA 1: SEMICONDUCTORES Mª Dolores Borrás Talavera.
Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ
Amplificador con BJT Análisis de pequeña señal
Transistores.
Límites de operación del transistor. Para cada transistor existe una región de operación sobre las características, la cual asegurara que los valores.
Amplificador con BJT Modelos de segundo orden
ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS
Pedro Márquez Quintanilla Valledupar 2015
Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminales Formado por una capa muy delgada del tipo N o P, empare Jado por otro tipo de material opuesto.
Electrónica Capítulo 40 Física Sexta edición Paul E. Tippens
Docente: Ing. Raimon Salazar TRANSISTORES BIPOLARES Funcionamiento Para que el transistor bipolar pueda funcionar es necesario polarizar cada una de sus.
Transistor Emisor-común Características graficas
TEMA II Electrónica Analógica
Diodo como elemento de circuito Aplicar en circuitos básicos: recortadores rectificadores reguladores Aplicar en circuitos básicos: recortadores rectificadores.
Activa directa: El BJT actúa como amplificador de intensidad: I C =  F I B con  F ~ 100. Fluyen corrientes por la unión BE y casi todos los e - emitidos.
AMPLIFICADORES CLASE C
TRANSISTORES BIPOLARES
TRANSISTORES BIPOLARES
ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS
Tema 7: “El TBJ en alterna - Modelo para pequeña señal- Cálculo de Ganancias e Impedancias ELECTRONICA I- FACET- UNT 4º Parte.
EL42A Circuitos Electrónicos Semestre Primavera 2003
Diodo (union P-N) semiconductores,Transistores y amplificadores
Transistor Bipolar n p e - IC IE IB NPN α: - Dopado IE = IC + IB
EL42A Circuitos Electrónicos Semestre Primavera 2003
Electrónica Capítulo 40 Física Sexta edición Paul E. Tippens
EL42A Circuitos Electrónicos Semestre Primavera 2003
CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES
ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES
Unidad Didáctica Electrónica Básica
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN El primer transistor el 23 de Dic. De 1947 Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden Es un dispositivo semiconductor.
TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) IntroducciónGeneralidadesAplicaciones.
Tema 1b: El Transistor BJT Principi físic.Tipus de transistors B.J.T.
Tips para análisis de transistores BJT
Electrónica Capítulo 40 Física Sexta edición Paul E. Tippens
AMPLIFICADORES DIFERENCIALES Docente: Ing. César Ciriaco Martínez Curso: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS AMPLIFICADORES.
EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL. INTRODUCCIÓN El amplificador diferencial está formado por dos transistores idénticos (apareados). Tiene dos entradas y dos.
ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C.
TRANSISTORES BCE U BE U CE IBIB ICIC IEIE. TRANSISTORES Introducción Base ColectorEmisor Unión Emisor Base Unión Base Colector Transistor PNP E C B.
Electrónica Capítulo 40 Física Sexta edición Paul E. Tippens  Emisiones termoiónicas  Tubos al vacío  Tubo de rayos catódicos  Tubo de rayos X  Semiconductores.
Diodos Electrónica I. Contenido Recta de carga Modelos del diodo de gran señal Otros modelos de diodos La ruptura de unión Variación con la temperatura.
Tema : El Diodo y su Aplicación Diodo Ideal y Real Semiconductores.
Diodos Electrónica I. Contenido Recta de carga Modelos del diodo de gran señal Otros modelos de diodos La ruptura de unión Variación con la temperatura.
Electrónica.
Dispositivos Semiconductores
EL42A Circuitos Electrónicos Semestre Primavera 2003
JFET. ¿ Qué es ? El JFET ( transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado.
{ Diodos Electrónica I.  Recta de carga  Modelos del diodo de gran señal  Otros modelos de diodos  La ruptura de unión  Variación con la temperatura.
COMPONENTES ELECTRÓNICOS ( EL DIACS ) ACTIVO El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo.
Transistor de efecto de campo Electrónica I. Características 1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios solamente. 2. Es más sencillo.
Electrónica Básica La electrónica es la parte de las ciencias físicas que se dedica a la conducción eléctrica en elementos semiconductores. En la práctica,
UTILIZAR INSTRUMENTACION ELECTRONICA Y HERRAMIENTAS DE SIMULACION PARA REALIZAR EL ANALISIS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS CON DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ACTIVOS.
El transistor bipolar de unión (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla.
Transcripción de la presentación:

ELECTRONICA BASICA TRANSISTORES ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C

TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR - Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor) - De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en:

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn - El funcionamiento de un transistor BJT puede ser explicado como el de dos diodos pn pegados uno a otro. - En este esquema (condición directa), la unión Base – Emisor (BE) actúa como un diodo normal. - Note en la gráfica el flujo de electrones y huecos, siendo la corriente de huecos menor. - A partir de ese momento, mediante el mismo mecanismo del diodo, se produce una corriente de base a emisor.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C - Conectemos ahora en forma inversa la conexión Base – Colector (BC). - Los electrones emitidos por el emisor se dividen en dos: unos que se dirigen hacia la base, recombinándose con los huecos, y otros que pasan esta zona y se dirigen al colector. - La zona de la base se construye muy angosta, De ese modo la probabilidad de paso es mayor. - Aparece un flujo neto de corriente (convencional) de colector al emisor. - La corriente que fluye al colector es mayor que la que fluye a la base del circuito exterior. - De acuerdo con la I Ley de Kirchoff: y además: donde  es el factor de amplificación (20 – 200)

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C Para analizar la característica i – v de un transistor se debe tomar los siguientes pares: Este último par origina una familia de curvas.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal I BB inyecta una corriente en la base, en conexión directa. Variando I BB y midiendo la variación v BE se obtiene la gráfica mostrada.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C Conectamos ahora una fuente de voltaje variable al colector. De este modo, variando v CC, variamos el voltaje v CE y por consiguiente la corriente en el colector. Esto adicionalmente a la variación de i B. Se genera toda una familia de curvas, una para cada valor de i B.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica: REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas en contra. La corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para todos los efectos, corriente al emisor. REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un amplificador lineal. La unión BE está conectada en directo y la unión CB está en reversa. REGION DE SATURACION: Ambas uniones están conectadas en directo. REGION DE RUPTURA: Que determina el límite físico de operación del transistor.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR BJT Asumamos que los voltímetros dan las siguientes lecturas: Podemos, en primer lugar determinar que lo que quiere decir que la conexión BE está conectada en directo.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C La corriente en la base será: Al mismo tiempo, la corriente en el colector será: Y la correspondiente ganancia:

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C El transistor está en la región lineal activa, ya que hay ganancia. Finalmente, el voltaje entre colector y emisor: De modo que podemos hallar el régimen de trabajo en las gráficas.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C Ejemplo: Hallar el régimen de trabajo del transistor en el circuito mostrado si: Para responder a esta pregunta deberemos determinar si las uniones BE y BC se encuentran en conexión directa o inversa. En la región de saturación ambas conexiones están en directo. En la región activa, BE está en directo y BC en reversa. De los datos anteriores: El último valor nos indica que estamos en la región de saturación. Ambos están en directo.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C ELECCION DE UN PUNTO DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR BJT Usemos el circuito mostrado para calcular el punto de operación, también denominado punto Q. Las correspondientes Ecuaciones de Kirchoff: De la última ecuación obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente son: Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C En este punto, el BJT puede usarse como amplificador lineal

ELECTRONICA BASICA, 2003 ADOLFO CASTILLO MEZA, M.S.C