DIODOS SEMICONDUCTORES PARA MICROONDAS
Diodo de punto de contacto También es llamado diodo de contacto puntual. Consiste en una placa de un cuerpo semiconductor de tipo P o tipo N en contacto con un alambre delgado puntiagudo. La región de contacto puede considerarse como una unión P-N. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente.
Diodo Schottky También diodo de barrera de superficie, de portadores calientes o diodos de recuperación rápida (Fast recovery) Dispositivo de 2 terminales que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos.
Construccion Aplicaciones Rango de frecuencias muy altas, por su rápido tiempo de respuesta y figura de ruido bajo. Unión metal-semiconductor. Semiconductor: Silicio tipo-n, usando varios metales como molibdeno, platino, cromo, o tungsteno. Fuentes de alimentación de bajo voltaje y alta corriente Convertidores de AC a DC y de analógico a digital Resultando una región de unión más uniforme y un nivel de solidez más alto. Instrumentación y detectores en equipo de comunicación
Se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor el metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
Los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura. Solamente los electrones (portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
El electrón es el portador mayoritario en ambos materiales El electrón es el portador mayoritario en ambos materiales. En el metal el nivel de portadores minoritarios, huecos, es insignificante. Cuando los materiales se unen, los electrones en el material semiconductor de silicio tipo-n fluyen inmediatamente hacia el metal adjunto, estableciendo un flujo intenso de portadores mayoritarios. Los portadores inyectados son conocidos como portadores calientes, debido a que tienen un nivel de energía cinética muy alto en comparación con los electrones del metal. La conducción es realizada por portadores mayoritarios.
Grafica caracteristica El nivel de VT para el diodo de portadores calientes se controla en gran medida por el metal empleado. Existe un compromiso requerido entre el rango de temperatura y el nivel de VT. Un incremento en uno parece corresponder a un incremento resultante en el otro. Entre menor sea el rango de niveles de corriente permitidos, menor será el valor de VT .