septiembre 16, 6:03 PM Modelo Shockley:Shockley q: carga del electrón: 1.6 * 10 − 19 T: temperatura absoluta de la unión k: constante Boltzmann n: es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 25 mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 ºC). Especificaciones diodo comercial

septiembre 16, 5:16 PM Capacitancia del diodo Capacitancia polarización en contra n p CoCo VRVR C R ≈ C c + (1 + 2V R ) n CoCo C c = Capacitancia encapsulado n = ½ o ⅓ C R ≈ 5 pF

septiembre 16, 5:27 PM C R ≈ C c + (1 + 2V R ) n CoCo Diodo Varicap o Varactor Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V. Modulación en Frecuencia (FM) L C VRVR + - VRVR f0f0 Resonancia:

+ - R VSVS CL Por Laplace: septiembre 16, 5:28 PM

+ - R VSVS CL Resonancia: septiembre 16, 5:32 PM

+ - R VSVS CL Transformada de Laplace: ¿Que pasa si hacemos R muy grande? 1 0 septiembre 16, 5:42 PM

+ - R VSVS CL Resonancia: La corriente en R tiende a cero y la energía pasa de energía potencial en el capacitor a energía cinética en el inductor 0 septiembre 16, 5:48 PM

+ - R VSVS CL ¿Encuentre el valor de L si se quiere una frecuencia central de 1 MHz y el voltaje Vs varía entre 5 V y 15 V? septiembre 16, 6:02 PM

septiembre 12, 9:13 AM Capacitancia polarización a favor n p  : Tiempo promedio en que se desplazan los electrones en ambas bandas de energía. IDID I D = Q/  IseIse V D /V T I D = Q =  IseIse V D /V T C = dQ =  d dV D IseIse V D /V T dV D C =  I D VTVT Si  = 1 ns y I D = 1 mA C = 40 pF

septiembre 12, 9:13 AM Walter Schottky ( ). Físico alemán. En 1912, obtuvo un doctorado en Berlín por su tesis sobre la teoría especial sobre la relatividad (basada en las investigaciones de Albert Einstein siete años atrás). El tutor de Schottky fue Max Planck, el propulsor de la teoría del Quantum, base de la física moderna. Luego de recibir su doctorado deja la teoría de la relatividad y se centra en el trabajo de su vida: la interacción de los electrones y iones en los cuerpos al vacío y sólidos. In 1938 crea una teoría que explica el comportamiento rectificador de un contacto metal-semiconductor dependiente de la conformación de la superficie del contacto entre los dos materiales. Posteriormente se construyeron diodos basados en una estructura metal semiconductor sobre la base de su teoría y fueron llamados diodos Schottky.

septiembre 12, 9:14 AM Diodo Schottky V I diodo de unión PN diodo Schottky nn+ Metal (Al) Contacto Rectificador Contacto Ohmico  = 10 ps y I D = 1 mA C = 0.4 pF  : Tiempo promedio en que se desplazan los electrones en la banda de conducción (solo hay portadores n con mayor movilidad). IDID n metal contacto óhmico

septiembre 12, 9:15 AM nn+ Metal (Al) Contacto Rectificador (Al trivalente) Contacto Óhmico (dopado con P Pentavalente) + -

septiembre 12, 9:15 AM nn+ Metal (Al) Contacto Rectificador (Al trivalente) Contacto Óhmico (dopado con P Pentavalente) + -

septiembre 19, 8:40 AM Calcular v L (t), con V F = 0.7 V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) Diodo Off 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) = 16 V

septiembre 19, 8:40 AM Calcular v L (t), con V F = 0.7 V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) = 800(I 4 -I 3 ) = cos ωt Diodo On 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) + - I1I1 I2I2 I3I3 I4I4 I 1 = -10 mA 2K(I 2 - I 1 ) + 3K(I 2 – I 3 ) = 30 cosωt 800(I 3 – I 4 ) + 3K(I 3 – I 2 ) = cosωt I 4 = 20 mA I 2 = cosωt (mA) I 3 = 1.65 – 6 cosωt (mA)

septiembre 19, 8:40 AM Calcular v L (t), con V F = 0.7 V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) = cos ωt 16 V Diodo On Diodo Off Equivalente de Thevennig visto desde el diodo para determinar cuando este conduce (ID > 0 y VD = 0.7 V) 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA +- v TH ID

septiembre 19, 8:41 AM Voltaje de Thevennig 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω 20 mA +- v TH 16V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω 10 mA +- v TH 1.2 KΩ 12V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA +- v TH Por Superposición V TH = 16 – 12 – 12cosωt = 4 – 12cosωt 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt +- v TH 2 KΩ 2 KΩ +3 KΩ 30 cos ωt = 12 cos ωt 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω +- R TH 1.2 KΩ Resistencia de Thevennig RTH = 2KΩ

septiembre 19, 8:41 AM 2 KΩ – 12cosωt ID VD ID = 4 – 12cosωt - VD 2 KΩ > 0 (Diodo ON) 0.7 cosωt < cosωt cos ωt 16 V Diodo On Diodo Off onoffonoff

septiembre 19, 8:41 AM Calcular v L (t), con V F = 0.7 V 3 KΩ 2 KΩ 800 Ω cos ωt 10 mA 20 mA + - v L (t) v L (t) V L (t) = cos ωt 16 V Diodo On Diodo Off cosωt < cosωt > 0.275

septiembre 19, 8:41 AM Practica: Encuentre el voltaje en RL utilizando el modelo V

1.5 Encuentre el voltaje en RL utilizando el modelo V septiembre 19, 8:41 AM

1.5 Encuentre el voltaje en RL utilizando el modelo V + - RL = 500Ω 2 KΩ V abril 22, 1:23 PM

1.5 Encuentre el voltaje en RL utilizando el modelo V + - RL = 500Ω 2 KΩ V septiembre 19, 8:41 AM

1.5 Encuentre el voltaje en RL utilizando el modelo V + - RL = 500Ω 2 KΩ V septiembre 19, 8:41 AM

Encuentre para qué valores de Vs conduce cada diodo. (El voltaje en cada diodo es de 0.7 V cuando conduce). Practica: Para el siguiente circuito : +10 V 10 KΩ -10 V 10 KΩ + - Vs= 20 senωt D1D2D3

Encuentre para qué valores de Vs conduce cada diodo. (El voltaje en cada diodo es de 0.7 V cuando conduce). +10 V 10 KΩ -10 V 10 KΩ + - Vs= 20 senωt D1D2D3 D1D2D3 OFF ON OFFONOFF ON OFF ONOFFON OFF ON

Practica Para el circuito mostrado dibuje la forma de Onda de VL (Indicando los valores de voltaje) Suponga un voltaje de 0.7 en D1 y D2 cuando conducen K Ω 10V VL 1 KΩ + D1 D2 8sen (ωt) 500 Ω + -