Marzo 12, 2:51 PM. agosto 26, 4:07 PM Voltaje Pico Inverso Recurrente y la máxima corriente en contra RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2.

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1 marzo 12, 2:51 PM

2 agosto 26, 4:07 PM Voltaje Pico Inverso Recurrente y la máxima corriente en contra RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IRIR

3 agosto 26, 4:06 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF Cálculo de la corriente del diodo a favor

4 marzo 12, 2:52 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF Corriente Pico a Favor Recurrente

5 marzo 12, 2:53 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF Sobrecorriente Pico a Favor

6 marzo 12, 2:53 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF Corriente a Favor Promedio

7 marzo 12, 2:53 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF VFVF +- Curva Característica del Diodo Shockley BardeenBrattain William Bradford Shockley (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989). Fue un físico estadounidense, galardonado con el Premio Nobel de Física en 1956. Inventó el transistor de unión el 5 de julio de 1951. A finales de los años 1960, Shockley realizó unas controvertidas declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que los test de inteligencia mostraban un factor genético en la capacidad intelectual revelando que los afro-estadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucásicos, así como que la mayor tasa de reproducción entre los primeros tuvo un efecto regresivo en la evolución. Creó sus propios laboratorios en California, pero su forma de llevar la empresa provocó que ocho de sus investigadores en 1957 abandonasen la compañía. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que más tarde crearían Intel.

8 marzo 12, 2:54 PM Modelo Shockley:Shockley q: carga del electrón: 1.6 * 10 − 19 T: temperatura absoluta de la unión k: constante Boltzmann n: es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 25 mV a temperatura ambiente (300 K ó 25 ºC).

9 marzo 12, 2:54 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF VFVF +- Curva Característica del Diodo

10 marzo 12, 2:54 PM RLRL + - vivi iLiL V i = 120 V RMS N1N1 N2N2 v2v2 C iCiC IFIF VFVF +- Curva Característica del Diodo

11 marzo 12, 2:58 PM T j : Temperatura en la unión (junction) R thj-a : Resistencia térmica entre la unión y el ambiente np Si T j = 150 °C Si el diodo 1N5390 tiene una corriente de 1 A y en su superficie se tiene 25 °C ¿Cuál sería la temperatura en la unión? 90 PDPD T amb