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Los dispositivos semiconductores

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Presentación del tema: "Los dispositivos semiconductores"— Transcripción de la presentación:

1 Los dispositivos semiconductores
Consisten de un cristal conformado de átomos de silicio o germanio si - Enlaces covalentes

2 Se somete un cristal a temperatura
si -

3 Se somete un cristal a temperatura
si - - Electrón si - si - - - - Valencia Conducción Bandas de energía - si si si - - - - - - - si - - si - - si - si si - - - - - si - si - si - - - si si Hueco

4 Los huecos y electrones se conocen como portadores
+ - E Los huecos y electrones se conocen como portadores si - - E si - si - - - - Valencia Conducción Bandas de energía - si si si - - - - - - - si - - si - - si - si si - - - - - si - si - si - - - si si

5 Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos trivalentes: 3e-
(boro, indio,aluminio) Se tienen más huecos en la banda de valencia Hueco extra si - si - si - - - si si - - - - - - Los portadores mayoritarios son huecos Br - si - - - - si si si - - - - - - si - - Br - Este tipo de cristal se conoce como material tipo P si - si si - - - - - si - si - si - - - si si

6 Contaminación de un cristal (Dopado) con atomos pentavalentes: 5e-
(fósforo, arsénico, antimonio) Se tienen más electrones en la banda de conducción Electrón extra si - si - si - - - si si - - - - - - - - Sb - si - - - - Los portadores mayoritarios son electrones si si si - - - - - - - si - - Sb - - si - si si - - - - - Este tipo de cristal se conoce como material tipo n si - si - si - - - si si

7 n p - - - - - - - - Estos son materiales electricamente neutros

8 n p - - - - - - - -

9 Los electrones buscan los huecos que están del otro lado de
la unión y se recombinan ... n p - - - - - - - -

10 Los electrones buscan los huecos que están del otro lado de
La barrera que forman los iones negativos no permiten que continue la recombinanción de electrones y huecos Los electrones buscan los huecos que están del otro lado de la unión y se recombinan ... n produciendo cargas netas positivas del lado de la unión n y cargas netas negativas del lado de la unión p p - - + - - - - - - + Zona de agotamiento

11 La barrera es superada por la presencia del campo eléctrico
El diodo: Polarización a favor p n ID n p - - + - - - - - - + + - La barrera es superada por la presencia del campo eléctrico

12 Polarización en contra
El diodo: Polarización en contra p n Io n p - - + - - - - - + - - + La barrera es favorecida por la presencia del campo eléctrico

13 ID Polarización a favor VD 0.7V Polarización en contra


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