EQUIPO # 4 INTEGRANTES: Víctor Ismael Bautista Sánchez

Presentación del tema: "EQUIPO # 4 INTEGRANTES: Víctor Ismael Bautista Sánchez"— Transcripción de la presentación:

1 EQUIPO # 4 INTEGRANTES: Víctor Ismael Bautista Sánchez
Albino Ramírez Sánchez Adrian muñoz Martínez Adolfo Montenegro Emmanuel Mancilla Sánchez Juan Ruiz García Eduardo Gerardo Galaviz Flores Materia: Física 4. Docente: Ing. Christian Aldaco González. Horario: 3:00 a 4:00 pm Aula: R-9

2 Introducción 1.-Fenómenos de ruptura
2.- Ruptura por multiplicación o avalancha. 3.- Ruptura zener.

3 Polarización en inversa
Si se aplica un potencial externo v volts a través de la unión p-n de tal forma que la terminal positiva se conecte al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p, el numero de iones descubiertos positivos en la región de agotamiento del material tipo n se incrementara debido al gran numero de electrones “libres” atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares , el numero de iones descubiertos negativos se incrementara en el material tipo p.

4 Polarización en inversa
Si polarizamos inversamente una unión p-n el efecto neto será un crecimiento del área de agotamiento lo que detendrá los portadores mayoritarios, haciendo a esta corriente cero Sin embargo, los portadores minoritarios tienden a ir a la región de agotamiento creando así una pequeña corriente inversa .

5 Trasporte en campo muy intenso: fenómenos de ruptura.
Cuando el campo eléctrico llega a ser extremadamente intenso (≥ 100 Kv/cm^-1), el semiconductor sufre una “ruptura” en la cual la corriente exhibe un comportamiento “desbocado” o “galopante”. La ruptura ocurre debido a la multiplicación de portadores que surgen de las dos fuentes que se discuten a continuación.

6 Continuación……Trasporte en campo muy intenso: fenómenos de ruptura.
Por multiplicación de portadores queremos decir que el número de electrones y huecos que pueden participar en el flujo de corriente se incrementa. Por supuesto el número total de electrones se conserva siempre.

7 FENOMENO DE RUPTURA POR AVALANCHA
En conexión inversa o directa de los diodos ocurre el efecto por avalancha o también llamado por multiplicación. Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

8 VOLARGE PRIMARIO CORRIENTE I -5V -10nA -10V -20nA -20V -30nA -50V
Cuando la tensión aumenta el campo electrico en el tambien lo hace provocando que los electrones de la banda de valencia pasen a la de conduccion. Si estos producen colisiones a tal grado que otros electrones pasen al banda de conduccion se obtine una deacarga por avalancha.

9 DENTRO DEL DIODO OURRE LO SIGUIENTE
Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, los electrones libres se van acelerando estos electrones pueden chocar donde se hace el enlace covalente. Si el electrón lleva tanta velocidad que choca y le cedé energia cinetica a tal grado que puede hacerlo un electrón libre, y ahora tendremos dos electrones libres.

10 Estos dos electrones vuelven a acelerar gracias al campo electrico adquiriendo la misma velocidad con la que fue el choque y así pueden volver a chocar con otro electrón de enlace covalente, y así se sucesivamente se va repitiendo el proceso.

11 Ruptura Zener La Ruptura Zener ocurre cuando los electrones de valencia son liberados de sus enlaces debido al gran campo eléctrico sin alcanzar un nivel al que se produzcan colisiones de gran energía.

12 El diodo Zener a diferencia del diodo convencional tiene un grado de dopacion mayor lo que origina que la zona de deplexion sea muy estrecha.

13 El efecto túnel permite a los electrones filtrarse en las bandas y a medida que el campo eléctrico se incrementa la energía prohibida disminuye hasta poner en corto al diodo.

14 Diodo Zener El diodo Zener es un dispositivo semiconductor que nos permite mantener un valor máximo de voltaje en sus terminales que no se superara siempre y cuando sus características no los permitan.

15 Principios de Electrónica: Malvino Electrónica: Harry Mileaf
Bibliografía Principios de Electrónica: Malvino Electrónica: Harry Mileaf Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos: Boylestad Nashelsky Dispositivos Semiconductores: Jasprit Singh Consultas y_Fenomeno_de_rupt.html