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Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminales Formado por una capa muy delgada del tipo N o P, empare Jado por otro tipo de material opuesto. Existen dos clases de transistores un de tipo NPN y otro De tipo PNP. PNN
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Características eléctricas del transistor bipolar + - + - V CE ICIC V BE IBIB IEIE + - V CB En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes: I C, I B, I E V CE, V BE, V CB En la práctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con I C, I B, V CE y V BE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fácilmente: I E = I C + I B V CB = V CE - V BE I B = f(V BE, V CE ) Característica de entrada I C = f(V CE, I B ) Característica de salida Transistor NPN
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Características eléctricas del transistor bipolar + - + - V CE ICIC V BE IBIB I B = f(V BE, V CE ) Característica de entrada Transistor NPN V BE IBIB V CE Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La característica de este diodo depende de V CE pero la variación es pequeña.
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Características eléctricas del transistor bipolar + - + - V CE ICIC V BE IBIB I C = f(I B, V CE ) Característica de salida Transistor NPN V CE ICIC La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base I B. IBIB
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Zona de saturación Zona de corte Zona activa: I C = ·I B Características eléctricas del transistor bipolar: linealización Transistor NPN: linealización de la característica de salida V CE (V) I C (mA) El parámetro fundamental que describe la característica de salida del transistor es la ganancia de corriente . I B (μA) 12 100 200 300 400 10 20 30 40 0 + - + - V CE V BE IBIB ICIC
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