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El Transistor de Unión Bipolar (BJT)
Jesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad Arroyo Dpto. de Electrónica
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BJT (Bipolar Junction Transistor)
Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN. Tres zonas de dopado: Emisor: zona muy dopada. Base: zona estrecha y poco dopada. Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.
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Transistores PNP y NPN TRANSISTOR ESTRUCTURA EQUIVALENTE SÍMBOLO NPN
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FUNCIONAMIENTO El diodo emisor se polariza en directa
El diodo colector en inversa
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FUNCIONAMIENTO Base y Emisor son una unión PN polarizada en directa.
Sí Vee > 0V los e- del emisor se acercan a la barrera.
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FUNCIONAMIENTO Cuando Vee > Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce.
Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base está poco dopada, la corriente es pequeña.
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FUNCIONAMIENTO Si Vcc>0 el diodo de colector está en inversa.
Los e- del emisor son atraídos por el colector. Base muy estrecha => los e- pueden atravesar la barrera y pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayoría de e- pasan al colector y unos pocos a la base.
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FUNCIONAMIENTO : Característica de cada transistor
IB : Característica de cada transistor - Porcentaje de e- que pasan a C (0 – 1) - Muy elevado ( )
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FUNCIONAMIENTO : Ganancia. Característica de cada transistor
IB : Ganancia. Característica de cada transistor Relación entre IB e IC (0 - )
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FUNCIONAMIENTO En resumen:
IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
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FUNCIONAMIENTO En resumen:
IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
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FUNCIONAMIENTO En resumen:
IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
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FUNCIONAMIENTO En resumen:
IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB
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