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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Entregado por: Cristiam Camilo Bonilla Angarita -285743 Mayo, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a. Crecimiento epitaxial: crecimiento ordenado de una capa monocristalina respecto al substrato cristalino inferior. b. Epitaxia de fase de vapor: En este procedimiento el material llega al substrato en forma de vapor, dicho vapor esta formado por compuestos que al llegar al substrato inician una reacción química que permite depositar el material sobre el substrato. c. Epitaxia de Fase liquida: Básicamente consiste en tener un solvente saturado con el material, posteriormente a una temperatura apropiada y en condiciones apropiadas de equilibrio entre la solvente y el substrato se aplica la solución
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. Estructura cristalina del diamante en inventor (3D)
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b. d. c.
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CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si * Se observa que en la superficie hay 1 átomo al centro y ¼ de átomo en cada esquina, por lo cual hay un total de 2 átomos * Se sabe que la arista de un cubo de cilicio equivale a 5,43 angstrom (1 angstrom = 1*10 -9 cm ) * entonces con una regla de 3 simple: (5.43) 2 *10 -18 cm 2 ---- 2 átomos. 29.4849*10 -18 cm 2 ---- 2 átomos. 1 cm 2 -------- ????
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