Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor:

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1 Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015 Hecho por : Andrés Felipe Pinilla Torres

2 CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a.Método de Bridgman. Un tubo de forma cilindro-cónica se llena de la sustancia a fundir y se desliza en el interior de un horno que presenta dos temperaturas diferentes. De este proceso resultan diferentes componentes tales como arseniuro de galio si la sintetización fue de arsénico. Tomado de [1].

3 b. Método Czochralski o Pulling Consiste en la creación de un cristal que tiene una varilla de material puro, por contacto de un baño con diferentes compuestos tales como platino, cerámica o grafito. La varilla se hace girar y ascender lentamente, produciendo un monocristal en forma de barra sin impurezas. Tomado de [2]

4 c. Método del crecimiento zonal. Consiste en deslizar un tubo lleno de polvo del material a fundir por un horno, en el que el elemento que calienta el material tiene una forma de anillo. Se tiene una zona fundida en la que se encuentran las impurezas. Así finalmente se obtiene un material puro que contiene en un extremo las impurezas. Tomado de [3]

5 CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a.3D

6 Silicio

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8

9 CRISTALOGRAFIA

10 Bibliografía [1] Método Bridgman – Stockbarger [En línea]. Tomado de: http://www.uned.es/cristamine/gemas/sintesis/bridgman.htm [2] Método Czochralski o Pulling. Tomado de : http://www.uned.es/cristamine/gemas/sintesis/chojral.htm [3] Método del crecimiento zonal.Tomado de : http://www.uned.es/cristamine/gemas/sintesis/zonal.htm