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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Ricardo Bernal Becerra Mayo, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados A. Método de Czochralski. https://www.youtube.com/watch?v=xftnhfa-Dmo B. Epitaxia por haces moleculares (M.B.E.). https://www.youtube.com/watch?v=NsGRKSV8yH8 C. Mono cristalino https://www.youtube.com/watch?v=VSM_iy8itWk
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CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos: El método de Czochralski se utiliza para la obtención de lingotes monocristalinos. Se crea un monocristal a partir de un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Se utiliza un material semiconductor fundido (generalmente germanio), y se introduce este dentro de una varilla, se controla la temperatura para que este sobre su punto de fusión y se hace girar la varilla lentamente con un cristal en un extremo para que funcione como semilla. Al contacto con la semilla, se solidifica el crisol, y toma la misma dirección de la red de la semilla.
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
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3D
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CRISTALOGRAFÍA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si
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CRISTALOGRAFÍA
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