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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015
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Cristalografía Método de Bridgman. Un tubo de forma cilindro- cónica se llena de la sustancia a fundir y se desliza en el interior de un horno que presenta dos temperaturas diferentes. De este proceso resultan diferentes componentes tales como arseniuro de galio si la sintetización fue de arsénico. 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados Método Czochralski Consiste en la creación de un cristal que tiene una varilla de material puro, por contacto de un baño con diferentes compuestos tales como platino, cerámica o grafito. La varilla se hace girar y ascender lentamente, produciendo un monocristal en forma de barra sin impurezas. Método del crecimiento zonal. Consiste en deslizar un tubo lleno de polvo del material a fundir por un horno, en el que el elemento que calienta el material tiene una forma de anillo. Se tiene una zona fundida en la que se encuentran las impurezas. Así finalmente se obtiene un material puro que contiene en un extremo las impurezas.
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2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos:
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3D
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3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Se observa que en la superficie hay 1 átomo al centro y ¼ de átomo en cada esquina, por lo cual hay un total de 2 átomos Se sabe que la arista de un cubo de cilicio equivale a 5,43 angstrom (1 angstrom = 1*10 -9 cm ) Con una regla de 3: 29.4849*10 -18 cm 2 ---- 2 átomos. 1 cm 2 -------- x
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4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 )
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