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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA DEPARTAMENTO DE FÍSICA ASIGNATURA FÍSICA DE SEMICONDUCTORES TAREA NO 2 PARA FAMILIARIZARSE CON LA ESTRUCTURA DEL SI PROFESOR: JAIME VILLALOBOS VELASCO MAYO, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a. Método Bridgman - Stockbarger. b. Método de Czochralski c. Vapor-Fase Epitaxal.
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
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A) 3D
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B)
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C)
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D)
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CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si. Parámetro de red del silicio =5.43 Å Estructura FCC (cubica centrada en las caras) Plano N° átomos: 2 (1 átomo en el centro + ¼ átomo en cada esquina) Densidad = (2 átomos)/[(5.43*10^-10 cm)^2 x (1m^2/10000cm^2)]= 6.78x10^14 átomos/cm^2
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