Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Sergio Orlando Pinto Pérez 2015

CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados Método de Molecular Beam Epitaxy: El método de crecimiento epitaxial por haces moleculares se usa para la producción de laminas de material semiconductor. Este método surge por la incidencia de uno o más haces en una superficie cristalina en un medio de ultravacío. La temperatura de este proceso oscila entre los 400 y 800° Celsius. Para los materiales a dopar tales como el Arsénico o el Galio se usa un horno de efusión donde se calientan los elementos y luego se condensen en una oblea de material semiconductor. La velocidad de crecimiento esta entre a 0.3 μm/min y va rotando la superficie de crecimiento para lograr homogeneidad.[1] Método de Czochralski: Método de crecimiento de lingotes de silicio de pureza del 99,99%. Se prepara un recipiente o crisol con el silicio en un ambiente controlado por medio de un gas inerte, especialmente el argón y se empieza a fundir el material. Cuando la temperatura es la deseada se toca la fundición con un material semilla y ambos se encuentran rotando en direcciones opuestas, produciendo el estiramiento del material y la formación de la varilla o lingote de silicio. [2] Método de Sputtering: Más conocido como pulverización por rayos catódicos resulta de la extracción de átomos de un electrodo y la utilización de una superficie de deposición del substrato donde se forma la película. En este proceso también se utiliza gas noble y un espacio en ultravacío, el gas noble es ionizado e impacta contra el blanco liberando átomos de su superficie y con la implementación de un magnetrón se repelen los electrones del impacto en blanco en la superficie de deposición, obteniendo mayores velocidades de formación de películas. [3]

CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.

3D

Átomos rojos  átomos internos Átomos grises  átomos externos

CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si

CRISTALOGRAFIA 4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 ) A.

B.

REFERENCIAS [1] [2] [3]