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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Presentado por: Luis Antonio Rodríguez Pérez Mayo, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a.Método de Czochralski b. Epitaxia en fase líquida (LPE) c. Deposición química de vapor
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a.3D
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: b.
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: c.
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: d.
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CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Se sabe que el parámetro de red del silicio es de 5.43 Å y como su estructura es de tipo FCC, en el plano se tiene 1 Átomo en el centro y 4 cuartos en las esquinas, es decir, dos átomos por celda. La densidad en el plano será
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