SILICIO El Si es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre, después del Oxígeno. A diferencia del.

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1                                      SILICIO El Si es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre, después del Oxígeno. A diferencia del C, se encuentra siempre combinado, de forma casi exclusiva, con el oxígeno en forma de sílice, SiO2 , o de silicatos, constituyendo el 75% en peso de la corteza terrestre.

2 ALGUNAS PROPIEDADES DEL SILICIO
Movilidad para electrones ≤1400 cm2 / V-s Movilidad para huecos ≤450 cm2 / V-s Masa efectiva (electrons) M0 Masa efectiva (holes) M0 Densidad : kg/m3 a 20 °C Coeficiente de difusión para electrones ≤36 cm2/s Coeficiente de difusión para huecos ≤12 cm2/s Función de Trabajo (intrinsic) eV Indice de refracción Coeficiente de recombinación radiativo ·10-14 cm3/s Band Gap eV (1.170 at 0 k)

3 ESTUCTURA CRISTALINA El Si es un elemento de color gris-azulado brillante, frágil y de aspecto metálico.

4 tipo-p. Presencia de vacante electrónica
Estructura del Si puro. Los puntos negros representan los cuatro electrones de valencia dispuestos para formar enlaces covalentes. Al impurificar con un átomo con menos electrones se crea una vacante electrónica (tipo-p) mientras que al hacerlo con un átomo con más electrones se añade un electrón adicional al sistema. tipo-p. Presencia de vacante electrónica tipo n. Presencia de un electrón adicional.

5 PROCESO DE FABRICACIÓN.
De las celdas solares de silicio lo podemos dividir en tres grandes etapas: OBTENCIÓN DEL Si DE ALTA PUREZA. OBTENCIÓN DE OBLEAS. PROCESAMIENTO DE LA OBLEA.

6 SILICIO MONOCRISTALINO POLICRISTALINO AMORFO
Estas celdas se obtienen a partir de barras cilíndricas de silicio Monocristalino producidas en hornos Estas celdas se obtienen a partir de bloques de silicio obtenidos por fusión de trozos de silicio puro en moldes especiales. Estas celdas se obtienen mediante la deposición de capas muy delgadas de silicio sobre superficies de vidrio o metal Obleas de Si - mono Obleas de Si - poli Si laminado

7 PASOS PARA OBTENER UNA CELDA FV

8 METODOS PARA LA OBTENCIÓN DE SILICIO
DE CZOCHRALSKI DE LAS ZONAS FLOTANTES DE BRIDGMAN DEL GRADIENTE DE CONGELACION

9 TÉCNICA DE CZOCHRALSKI (CZ)
Esta técnica se utiliza para crear barras de Si monocristalino a partir de Si líquido. El generador de CZ se muestra en la figura siguiente: Un crisol de cuarzo (SiO2) sobre un sustrato de grafito, donde se coloca el Si líquido. Este crisol gira en el sentido de las agujas del reloj. El Si se mantiene líquido por inducción de RF. Sobre el crisol hay un mecanismo de arrastre del cristal ya formado. El mecanismo sostiene un gérmen de cristal monocristalino con la orientación adecuada y gira en contra de las agujas del reloj. Esquema típico de un aparato de czochralski

10 TÉCNICA DE CZOCHRALSKI
Hacia arriba Argón Lingote Crisol De Cuarzo Material Refractario Esquema grafico de la Técnica de Czochralski

11 TÉCNICA DE CZOCHRALSKI
Lingote para posterior corte de obleas Forma para obleas cuadradas Proceso de corte de obleas Mecanismo por guías y alambre de corte

12 TÉCNICA DE CZOCHRALSKI
L i n g o t e s d e s i l i c i o

13 TÉCNICA DE CZOCHRALSKI
L i n g o t e s d e s i l i c i o

14 LA TÉCNICA DE LA ZONA FLOTANTE
Este técnica, al contrario que las anteriores, parte de una varilla sólida de Si policristalino, y no de Si líquido. Permite obtener menor concentración de impurezas que el método de CZ, pero en cambio no permite obtener varillas del mismo diámetro que las obtenidas por este otro método. Esquema típico de un aparato de Zona Flotante

15 TÉCNICA DE LA ZONA FLOTANTE
Se coloca en el dispositivo una varilla de Si policristalino en posición vertical, con un germen de Si monocristalino de la orientación adecuada en su extremo inferior. Esta varilla está inmersa en una cámara de cuarzo en la que se mantiene una atmósfera de gas inerte. Externa a esta cámara hay un inductor de radiofrecuencia móvil. Durante el funcionamiento del sistema, la varilla de Si gira sobre sus ejes a la vez que el inductor funde unos centímetros de la misma. El inductor se desplaza lentamente del extremo inferior al superior, haciendo que la zona fundida se mueva a lo largo de toda la varilla. La zona fundida se mantiene flotando debido a la tensión superficial del Si líquido. A esta zona se le conoce como zona flotante. La velocidad de desplazamiento del inductor controla el diámetro del cristal resultante {1}. Lingote de Si-policristalino

16 TÉCNICA DE LA ZONA FLOTANTE
Silicio policristalino Zona de Fusión Silicio Monocristalino Alta Frecuencia Semilla Esquema grafico de la Técnica de la Zona Flotante

17 OBLEAS PARA CELDAS SOLARES DE SILICIO

18 LA TÉCNICA DE BRIDGMAN Esta técnica es la que se emplea preferentemente para el crecimiento de cristales de GaAs. Este técnica utiliza un horno de dos zonas como el mostrado en la figura. Dentro del horno se coloca un tubo de cuarzo. En un extremo del tubo, mantenido a una temperatura de unos 610ºC, hay cierta cantidad de As. En el otro extremo del tubo, a una temperatura de unos 1240ºC, hay una cubeta con GaAs fundido. Entre las dos zonas se encuentra el extremo izquierdo de la cubeta con un germen de GaAs sólido con la orientación deseada.

19 Esquema grafico de la Técnica de Bridgman
Ga Policristalino Ga Fundido Elemetos Calefactores GaAs Cristalino Germen Temperatura Esquema grafico de la Técnica de Bridgman

20 PROCESOS DE CORTE Y PULIDO DE LAS OBLEAS DE SILICIO

21 T E C N I C A D E L A P E A D O

22 CELDAS SOLARES DE SILICIO AMORFO
Las celdas de silicio amorfo hidrogenado se depositan en forma de capa delgada sobre diferentes sustratos: vidrio, acero o polímeros. La temperatura de depósito es moderada (entre 1000 C y 3000 C). Muchas de las propiedades del silicio amorfo hidrogenado difieren de las del silicio cristalino: La absorción óptica en la región visible del espectro solar es más de 10 veces superior. La movilidad electrónica es mucho menor (de 1a 10 cm2V-1s-1 ). Aunque el hidrógeno permite eliminar gran parte de los estados de defecto debidos a los enlaces no saturados del silicio amorfo, todavía existe una concentración de estados de defecto del orden de 1015 a 1016 cm-3. La iluminación prolongada del silicio amorfo produce un aumento de la densidad de defectos, que puede llegar a ser superior a 1017 cm-3, dependiendo de la intensidad de iluminación y la temperatura.

23 CDV (Deposito por Vapor Químico)
Existen varias tecnicas de crecimiento en película delgada de silicio amorfo, de los cuales podemos mencionar las siguientes: CDV (Deposito por Vapor Químico) La técnica de CVD consiste en la reacción de una mezcla de gases en el interior de una cámara de vacío (reactor) para dar lugar a la formación de un material en forma de capa delgada. Los subproductos de la reacción son evacuados hacia el exterior mediante un sistema de alta velocidad de bombeo (bomba 'roots' apoyada con rotatoria). PVD ( Physical Vapour Deposition ) PECVD (Deposito por Vapor Químico Asistido por Plasma)

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25 Deposición física a partir de la fase vapor
Esta técnica esta basada en la formación de un vapor del material que se pretende depositar en capa delgada. Para ello, el material en forma de sólido es sometido bien sea a un proceso de calentamiento hasta la evaporación (evaporación térmica) o bien se 'pulveriza' mediante un bombardeo intenso con partículas cargadas en forma de iones (bombardeo catódico ó “spputering”). En este último caso, los iones proceden de una descarga eléctrica entre dos electrodos en forma de plasma, utilizando un gas generalmente inerte (argón). También es posible bombardear la muestra con un haz de iones procedentes de una fuente externa de iones. Esta última técnica permite variar la energía y la intensidad de los iones que alcanzan la superficie del material a depositar.

26 Evaporación térmica en vacío
La técnica de deposición por evaporación térmica en vacío consiste en el calentamiento hasta la evaporación del material que se pretende depositar. El vapor del material termina condensándose en forma de lámina delgada sobre la superficies fría del substrato y las paredes de la cámara de vacío. Normalmente la evaporación se hace a presiones reducidas, del orden de 10-6 o 10-5 Torr, con objeto de evitar la reacción del vapor con la atmósfera ambiente. Sputtering El proceso de sputtering consiste en la extracción de átomos de la superficie de un electrodo debido al intercambio de momento con iones que bombardean los átomos de la superficie. Con esta definición está claro que el proceso de sputtering es básicamente un proceso de ataque, frecuentemente utilizado para la limpieza de superficies y la delineación de pistas. Sin embargo, como en el proceso de sputtering se produce vapor del material del electrodo, es también un método utilizado en la deposición de películas, similar a la evaporación

27 Depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HW-CVD)
La técnica de depósito de a-Si:H o nc-Si:H mediante HW-CVD se basa en la descomposición térmica de una mezcla de SiH4 y H2 que se hace circular a través de un filamento resistivo incandescente (normalmente tungsteno o tántalo). Mediante HW-CVD se ha logrado crecer capas delgadas de silicio (amorfo y cristalino) a velocidades relativamente altas de depósito (de hasta varios nm/s) y bajas temperaturas (menores que 2000C). Esto hace del HW-CVD una técnica prometedora de cara a obtener dispositivos de silicio de gran área en capa delgada sobre sustratos de bajo coste. Figura: Sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente

28 REFERENCIAS {1} {2} {3} {4}