FÍSICA DE SEMICONDUCTORES DENSIDAD DE PORTADORES n(E) y p(E) UN Diego Antonio Gómez Prieto fsc13Diego Clase del 28 mayo 2015
N(E) FUNCIÓN DE DENSIDAD DE ESTADOS PERMITIDOS Enrico Fermi Paul Dirac
DENSIDAD DE PORTADORES n(E) y p(E) Calcule y grafique la función DENSIDAD DE PORTADORES en un semiconductor. Ver fig 3-16 de la página 75 del libro Texto. Densidad de portadores para estas densidades se utilizan las siguientes ecuaciones Densidad de electrones: Densidad de huecos:
Densidad de electrones DatoEcn 10,65,81E+17 20,6015,58E+17 30,6054,78E+17 40,658,36E+16 50,71,20E+16 60,733,76E+15 70,751,73E+15 80,82,5E+14 90,821,15E ,07E , , , ,31,44E ,61,25E-16
Densidad de huecos DatoEvn 10,4491,3E+18 20,4451,1E+18 30,41,76E+17 40,3991,17E+17 50,341,5E+16 60,32,97E+15 70,281,31E+15 80,253,85E+14 90,193,33E ,189,78E ,158,45E ,11,11E , , ,0119,6