Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Ricardo Bernal Becerra Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados A. Método de Czochralski. B. Epitaxia por haces moleculares (M.B.E.). C. Mono cristalino
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos: El método de Czochralski se utiliza para la obtención de lingotes monocristalinos. Se crea un monocristal a partir de un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Se utiliza un material semiconductor fundido (generalmente germanio), y se introduce este dentro de una varilla, se controla la temperatura para que este sobre su punto de fusión y se hace girar la varilla lentamente con un cristal en un extremo para que funcione como semilla. Al contacto con la semilla, se solidifica el crisol, y toma la misma dirección de la red de la semilla.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
3D
CRISTALOGRAFÍA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si
CRISTALOGRAFÍA