Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Alumno: Andrés Felipe Mondragón Clavijo Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Deposición química de vapor (CVD) b. Método de Czochralski c. Deposición física de vapor (PVD)
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos La deposición química de vapor (CVD) está constituida por los siguientes pasos. 1.Transporte de los reagentes en fase gaseosa. 2.Difusión o convección en la capa limite. 3.Adsorción de los precursores en el substrato. 4.Difusión superficial de los precursores en la superficie del substrato. 5.Reacción química superficial (formación de capa solida del material y formación de subproductos. 6.Transporte de los subproductos gaseosos fuera del reactor.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: b.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: c.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: d. Nota: Se aclara que los átomos sombreados con rojo son los internos, no los ubicados en las caras de la estructura.
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