TRANSISTORES BJT KENEDY ZUÑIGA YERSON FIGUEROA DIEGO ALEXANDER DULCE KENEDY ZUÑIGA YERSON FIGUEROA DIEGO ALEXANDER DULCE

INTRODUCCIONINTRODUCCION En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado. En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado. En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria, En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria, los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc. los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc. En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado. En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado. En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria, En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria, los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc. los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc.

DEFINICIONDEFINICION Fuente de corriente controlada por corriente, en donde la corriente de control es pequeña (en el orden de los mA) y la corriente controlada es una corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas grande que la corriente de control. Fuente de corriente controlada por corriente, en donde la corriente de control es pequeña (en el orden de los mA) y la corriente controlada es una corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas grande que la corriente de control.

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar electrones en la base. EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar electrones en la base. BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector. BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector. COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la base. COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la base. EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar electrones en la base. EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar electrones en la base. BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector. BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector. COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la base. COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la base.

ESTRUCTURAESTRUCTURA NPN COLECTOR EMISOR BASE

DIODO EMISOR Y COLECTOR: los transistores poseen 2 uniones los transistores poseen 2 uniones Base emisor: similar a Base colector: dos diodos DIODO EMISOR Y COLECTOR: los transistores poseen 2 uniones los transistores poseen 2 uniones Base emisor: similar a Base colector: dos diodos PNP COLECTOR EMISOR BASE

TRANSISTOR NO POLARIZADO

ALFAALFA En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera. En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera. se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie esto se define : esto se define : En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera. En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera. se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie esto se define : esto se define : α = Ic / Ie

BETABETA De acuerdo con la definición de transistor y al relacionar la I C con I E utilizando De acuerdo con la definición de transistor y al relacionar la I C con I E utilizando α, también puede relacionarse la I C con la I B, definiendo β como: β = IC / IE

ANALISIS DC MALLA DE ENTRADA JUNTURA BE POL DIRECTA DIODO NORMAL CONDUCE CONTROL DE IB CON RB JUNTURA BE POL DIRECTA DIODO NORMAL CONDUCE CONTROL DE IB CON RB IB = VBB – VBE RB IB = VBB – VBE RB VBB = VRB + VBE

MALLA DE SALIDA JUNTURA BC POL INVERSA Ic ≠ OA IB CONTROLA A Ic JUNTURA BC POL INVERSA Ic ≠ OA IB CONTROLA A Ic Ic = β * IB EN GENERAL: VCE = VCB + VBE IE = Ic + IB Ic = β * IB

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR CURVA DE COLECTOR: CURVA DE COLECTOR:

REGIONES DEL TRANSISTOR REGION ACTIVA. REGION ACTIVA. características: características: I B > 0 Y V CE no tan pequeño. I B > 0 Y V CE no tan pequeño. Juntura BE polarización directa y juntura CB polarizacion inverza. Juntura BE polarización directa y juntura CB polarizacion inverza. I c depende de la I B. I c depende de la I B. Opera como amplificador sin distorcion. Opera como amplificador sin distorcion. REGION ACTIVA. REGION ACTIVA. características: características: I B > 0 Y V CE no tan pequeño. I B > 0 Y V CE no tan pequeño. Juntura BE polarización directa y juntura CB polarizacion inverza. Juntura BE polarización directa y juntura CB polarizacion inverza. I c depende de la I B. I c depende de la I B. Opera como amplificador sin distorcion. Opera como amplificador sin distorcion.

REGION DE CORTE Características: se da cuando Características: se da cuando La I C iguala a la corriente de fuga. La I C iguala a la corriente de fuga. LA I B = 0 LA I B = 0 El voltaje V CE es máx. o V CE es min. El voltaje V CE es máx. o V CE es min. V CE (CORTE) ≡ Vcc V CE (CORTE) ≡ Vcc Juntura BE y juntura BC están en polarización directa. Juntura BE y juntura BC están en polarización directa. Transistor: como interruptor abierto. Transistor: como interruptor abierto. Características: se da cuando Características: se da cuando La I C iguala a la corriente de fuga. La I C iguala a la corriente de fuga. LA I B = 0 LA I B = 0 El voltaje V CE es máx. o V CE es min. El voltaje V CE es máx. o V CE es min. V CE (CORTE) ≡ Vcc V CE (CORTE) ≡ Vcc Juntura BE y juntura BC están en polarización directa. Juntura BE y juntura BC están en polarización directa. Transistor: como interruptor abierto. Transistor: como interruptor abierto.

REGION DE SATURACION Características: V CE = 0.2 v. V CE = 0.2 v. La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) La juntura BE y CB están en polarización inversa. La juntura BE y CB están en polarización inversa. El transistor permite conducción máx. El transistor permite conducción máx. Se comporta como un interruptor cerrado Se comporta como un interruptor cerrado La I B = 4 IBsat La I B = 4 IBsatCaracterísticas: V CE = 0.2 v. V CE = 0.2 v. La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc) La juntura BE y CB están en polarización inversa. La juntura BE y CB están en polarización inversa. El transistor permite conducción máx. El transistor permite conducción máx. Se comporta como un interruptor cerrado Se comporta como un interruptor cerrado La I B = 4 IBsat La I B = 4 IBsat

LINEAS DE CARGA Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor. Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor. Ic = Vcc – Vc E Ic = Vcc – Vc E Rc Rc Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación: Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación: V CE = 0v Ic = Vcc /Rc V CE = 0v Ic = Vcc /Rc Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor. Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor. Ic = Vcc – Vc E Ic = Vcc – Vc E Rc Rc Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación: Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación: V CE = 0v Ic = Vcc /Rc V CE = 0v Ic = Vcc /Rc

Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte. Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte. V CE = Vcc Ic = 0 V CE = Vcc Ic = 0 Punto Q: es el punto de operación o punto estático de operación del transistor, el punto Q ideal debe estar ubicado en la mitad de la recta de carga Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte. Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte. V CE = Vcc Ic = 0 V CE = Vcc Ic = 0 Punto Q: es el punto de operación o punto estático de operación del transistor, el punto Q ideal debe estar ubicado en la mitad de la recta de carga

POLARIZACIONESPOLARIZACIONES BASE COMUN: BASE COMUN: El terminal de base es compartido entre la señal de entrada y la señal de salida. El terminal de base es compartido entre la señal de entrada y la señal de salida. EMISOR COMUN: EMISOR COMUN: el terminal del emisor es común entre la señal de entrada y la de salida. el terminal del emisor es común entre la señal de entrada y la de salida. COLECTOR COMUN: COLECTOR COMUN: El colector es compartido entre la señal de entrada y la de salida, El colector es compartido entre la señal de entrada y la de salida, BASE COMUN: BASE COMUN: El terminal de base es compartido entre la señal de entrada y la señal de salida. El terminal de base es compartido entre la señal de entrada y la señal de salida. EMISOR COMUN: EMISOR COMUN: el terminal del emisor es común entre la señal de entrada y la de salida. el terminal del emisor es común entre la señal de entrada y la de salida. COLECTOR COMUN: COLECTOR COMUN: El colector es compartido entre la señal de entrada y la de salida, El colector es compartido entre la señal de entrada y la de salida,