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Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Paola Marcela Medina Botache Mayo, 2015
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CRISTALOGRAFÍA 1.Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a.Epitaxia por haces moleculares (M.B.E.) b. Deposición Química de Vapor (C.V.D) c.Epitaxia en fase líquida (L.P.E)
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CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
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Estructura del diamante: (a) una celda unitaria de diamante construida mediante la colocación de átomos a ¼, ¼, ¼ de cada átomo en una estructura fcc; (b) vista desde arriba (lo largo de cualquier dirección ).
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CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Para conocer la ubicación de la superficie orientada debemos calcular los recíprocos de cada coordenada los cuales nos dirán en qué punto se intersecta el plano con el respectivo eje: Índices de Miller 0, 0, 1 Recíprocos∞, ∞, 1
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Como se puede apreciar, el plano contiene 4 átomos en las esquinas y uno centrado en las caras. Para encontrar el número de átomos /cm 2 debemos saber que el lado del cubo de silicio es 0,543 nm:
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