FÍSICA DE SEMICONDUCTORES CARACATERÍSTICAS DEL Si

Presentación del tema: "FÍSICA DE SEMICONDUCTORES CARACATERÍSTICAS DEL Si"— Transcripción de la presentación:

1 FÍSICA DE SEMICONDUCTORES CARACATERÍSTICAS DEL Si
UN Andres Felipe pinilla torres fsc27ANDRES 2015

2 CARACTERÍSTICAS SEMICONDUCTORAS DEL Si
Haga una investigación sobre el Silicio y diseñe una presentación didáctica lo más completa que pueda Abundancia, cómo se fabrica, procesos Su lugar en las tabla periódica Estructura de bandas, GAP = 1,1 eV Estructura cristalina Propiedades del silicio intrínseco Dopado URL de videos Referencias etc

3 Silicio Es un elemento químico metaloide, su número atómico es 14 y está ubicado en el grupo IV de la tabla periódica. Su símbolo es denotado por SI . Del Silicio se puede decir que ocupa el segundo puesto en los elementos más abundantes de la corteza de la tierra (27,7%), seguido por el Aluminio(8,1%) y antecedido por el Oxígeno (46,6%).

4 Silicio Historia El químico Jöns Jacob Berzelius en el año de y 1824 pudo por primera vez en la historia, lograr obtener un estado puro y aislado del silicio. Como bien se dijo es un elemento metaloide tiene una tonalidad grisácea y metálica.

5 Silicio Fabricación El proceso de fabricación de obleas de silicio, que después serán usadas para realizar elementos como microchips o procesadores, se explica en el video que se puede observar a continuación.

6 Silicio Estructura cristalina
El silicio presenta un patrón semejante al del diamante, las líneas entre los átomos indican los enlaces con los elementos próximos. La distancia entre cada átomo, o mejor la longitud del cubo es de 5.43 Å. En la segunda figura de la derecha, se observa que en un estado monocristalino, los átomos del elemento se disponen en una red tipo diamante en la que cada uno forma enlaces covalentes para tener la última orbita completa.

7 Silicio Material intrínseco y Dopado
Un semiconductor cristalino y sin impurezas o mejor conocido como semiconductor intrínseco, presenta a una temperatura de 0K, toda su banda de valencia ocupada por electrones. La energía de gap es menor a 2eV. Conforme va aumentando la temperatura, se producen destrucciones de enlaces que a su vez producen los llamados pares electrones y huecos. A partir de ese momento, el material se vuelva un débil conductor. En el caso de los materiales dopados, se pueden tener de dos tipos : tipo n con electrones y tipo p con huecos. Con estas impurezas, frente a una baja temperatura, se puede permitir que el material conduzca corriente.

8 Germanio Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo, que conserva su brillo a temperaturas normales. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante. El germanio a diferencia del Silicio, presenta una pequeña banda prohibida en comparación a este (el germanio tiene 0.67eV y el Silicio 1.1eV)

9 Germanio Estructura cristalina y aplicaciones
En la figura de la derecha se puede observar la estructura del germanio. Es similar a la del silicio. Al lado derecho se puede ver un video sobre unas pequeñas aplicaciones que tiene el germanio.

10 Silicio y Germanio Propiedades
Parámetro Silicio Germanio Masa atómica 28.08u 72.6u Temperatura de fusión 1410ºC 937.4ºC Concentración intrínseca a 300K 1.5e+016 m^·3 2.36e+019 m^·3 Banda prohibida 1.1eV 0.67eV Permitividad eléctrica 12 15.7 Masa efectiva electrón 1.1mo 0.5mo Masa efectiva hueco 0.59 mo 0.37mo

11 Referencias [1] [2] [3] [4] fisica/temas/TEMA3.pdf [5] tecnicas/electronica-de-dispositivos/tema-01.pdf [6] [7]