EL IGBT DE POTENCIA El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los años 80 Mezcla características.

Presentación del tema: "EL IGBT DE POTENCIA El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los años 80 Mezcla características."— Transcripción de la presentación:

1 EL IGBT DE POTENCIA El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los años 80 Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por corriente G C E Bipolar MOSFET Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutación (Bipolar) No tiene diodo parásito

2 EL IGBT DE POTENCIA Estructura del IGBT Es similar a la de un MOSFET Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.

3 EL IGBT DE POTENCIA El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensión (>1000 V) Alta potencia (>5 kW) Aplicaciones típicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentación ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

4 EL IGBT DE POTENCIA Gran capacidad de manejo de corriente Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor El IGBT tiene menor caída de tensión Menores pérdidas en conducción Problema: Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura, menor caída de tensión Conduce más corriente Se calienta más Esto es un problema para paralelizar IGBTs

5 Encapsulados de IGBT TO 220 TO 247 EL IGBT DE POTENCIA Módulos de potencia MTP

6 Parámetros fundamentales para seleccionar un IGBT Tensión de ruptura Corriente máxima Tensión colector-emisor en saturación Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensión Alta tensión 250 V 300 V 600 V 900 V 1200 V (Poco usuales) EL IGBT DE POTENCIA

7 Características básicas G C E En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo

8 EL IGBT DE POTENCIA Características eléctricas Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares) Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS) Características térmicas

9 EL IGBT DE POTENCIA Cola de corriente Características dinámicas Circuito equivalente del IGBT La base del bipolar no del accesible La circuitería exterior no puede solucionar el problema de la eliminación de los minoritarios de la base Esto da lugar a la llamada “cola de corriente” (current tail) Problema: aumento de pérdidas de conmutación

10 EL IGBT DE POTENCIA Características dinámicas Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutación del IGBT no dan información sobre las pérdidas de conmutación Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente Este efecto es muy significativo en el conjunto de pérdidas Además, el tiempo de caída de la tensión V CE no queda definido Este tiempo es muy importante para definir las pérdidas Se hace mediante gráficos que proporciona el fabricante

11 TIRISTORES GTOGate Turn-Off Thirystor A K G En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema El GTO solventa ese inconveniente Con corriente entrante por puerta, se dispara Con corriente saliente por puerta, se apaga Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia Es muy robusto

12 TIRISTORES GTO Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas La caída de tensión en conducción es relativamente baja El GTO es básicamente igual que un SCR Se han modificado algunos parámetros constructivos para poder apagarlo por puerta Se pierden algunas características (solución de compromiso). Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor. Caída de tensión en conducción ligeramente superior al SCR Algo más rápido que un SCR