RAM Sergio Ignacio Posso Álvarez. Tipos de RAM  DRAM: Dinamic-RAM, o RAM a secas, ya que es "la original", y por tanto la más lenta (aunque recuerde:

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Transcripción de la presentación:

RAM Sergio Ignacio Posso Álvarez

Tipos de RAM  DRAM: Dinamic-RAM, o RAM a secas, ya que es "la original", y por tanto la más lenta (aunque recuerde: siempre es mejor tener la suficiente memoria que tener la más rápida, pero andar escasos). Usada hasta la época del 386, su velocidad de refresco típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70 ns que la de 80 ns.

 Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o sólo "RAM"), puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns. Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).  EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).

 SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser rapidísima, de unos 25 a 10 ns. Sólo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.  PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y micros más modernos; teóricamente se trata de unas especificaciones mínimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen...

SIMMs y DIMMs  SIMMs: Single In-line Memory Module, con 30 ó 72 contactos. Los de 30 contactos pueden manejar 8 bits cada vez, por lo que en un 386 ó 486, que tiene un bus de datos de 32 bits, necesitamos usarlos de 4 en 4 módulos iguales. Miden unos 8,5 cm (30 c.) ó 10,5 cm (72 c.) y sus zócalos suelen ser de color blanco. DIMMs: más alargados (unos 13 cm), con 168 contactos y en zócalos generalmente negros; llevan dos muescas para facilitar su correcta colocación. Pueden manejar 64 bits de una vez, por lo que pueden usarse de 1 en 1 en los Pentium, K6 y superiores. Existen para voltaje estándar (5 voltios) o reducido (3.3 V).

 ECC: memoria con corrección de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones realmente críticas. Usada en servidores y mainframes.  BEDO (Burst-EDO): una evolución de la EDO, que envía ciertos datos en "ráfagas". Poco extendida, compite en prestaciones con la SDRAM.  Memorias con paridad: consisten en añadir a cualquiera de los tipos anteriores un chip que realiza una operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son fiables. Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, el ordenador sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad.

In line  La tecnología de línea de retardo analógica se ha utilizado desde la década de 1920 para retrasar la propagación de señales analógicas. Cuando se utiliza una línea de retardo como un dispositivo de memoria, un amplificador y un conformador de impulsos están conectados entre la salida de la línea de retardo y la entrada. La capacidad de memoria se determina dividiendo el tiempo necesario para transmitir un bit en el tiempo que toma para que los datos circulan a través de la línea de retardo. Sistemas de memoria temprana retraso de la línea tenían capacidades de unos pocos miles de pedazos, con tiempos de recirculación medidos en microsegundos. Para leer o escribir un bit en particular almacenado en una memoria tal, es necesario esperar a que poco a circular a través de la línea de retardo en la electrónica. La demora para leer o escribir cualquier bit en particular ya no que el tiempo de recirculación es.

Pasos de arreglo de una RAM  1. limpiar soquets de nuestra ram, esto se puede hacer con un simple borrador de nata o con papel de lija #500 delgada después limpiarla con liquido limpiador de componentes electrónicos o en su defecto menos recomendable alcohol. 2. limpiar y sopletear la base donde sienta la memoria en la board, pues el polvo la puede poner en corto o hacer fallar. 3.limpiar toda la superficie de la memoria en sus dos caras.

 4.inspeccionar que ningún elemento como soldaduras estén opacas, deterioradas esto provoca fallas en conductividad viéndose reflejadas en el mal funcionamiento de la misma. 5 verificar con una lupa después de limpiarla que no estén presente objetos extraños como pedazos de borrador etc. 6 ensayarla en nuestro pc y si no funciona la ultima de las soluciones y definitiva es tomar una pistola de calor y calentar durante 20 segundos a una temperatura de 550 grados los integrados de nuestra memoria, hacerle tres rondas, pues les explicare el porque de la falla y porque esto si funciona siempre y cuando el daño no sea por una descarga de estática. el problema es que las soldaduras con el uso se deterioran y con el tiempo pierde su capacidad conductiva y al calentarla se regenera.