Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Por: Luis David Villarreal Muñoz Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Molecular Beam Epitaxy (MBE) b. Liquid encapsulated Czochralski. c. Vapor-Phase Epitaxy (VPE)
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos El sistema de crecimiento de materiales altamente alineados por haces moleculares, (MBE), se emplea para hacer crecer sobre una oblea de silicio algún otro material semiconductor. Este método permite que el elemento empleado para crear la capa sobre la oblea tome la estructura atómica del silicio, lo cual cambia sus propiedades. Para esto se emplea un ambiente de muy alto vacío. Se tienen haces de moléculas del componente que se quiere formar la capa, y se apuntan hacia la superficie de la oblea. Este método tiene el inconveniente de que debe tenerse cuidado en el grosor de esta nueva capa, ya que después de determinado grosor, el elemento del haz retoma su estructura de red, generando desórdenes en el orden deseado de los materiales.
CRISTALOGRAFÍA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a.3D
b. CRISTALOGRAFÍA
c. CRISTALOGRAFÍA
d. CRISTALOGRAFÍA
3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si
CRISTALOGRAFÍA