Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 31 Premios Nobel Profesor: Jaime Villalobos Velasco Estudiante: Iván Alejandro Sarmiento Jiménez Junio, 2015

Hendrik Antoon Lorentz Premio nobel de física por su investigación conjunta en la “radiación electromagnética”, dicha investigación es importante porque la radiación electromagnética se sitúa en los orígenes de la física cuántica y de semiconductores, además cabe resaltar que tuvo gran influencia en la investigación de los campos electromagnéticos (como la fuerza de Lorenz). País: Neerland Año: 1902

Philipp Eduard Anton von Lenard Gana el premio nobel por su investigación en los rayos catódicos, dicha investigación es importante debido a que a partir de esto se empieza a estudiar el efecto fotoeléctrico. País: Alemania Año: 1905

Joseph John Thomson Gana el premio nobel gracias a la invención de un modelo atómico que demuestra la existencia de los electrones, esto es importante ya que el movimiento de cargas genera la corriente eléctrica empleada en conductores, semiconductores y aislantes. País: Inglaterra Año: 1906

Albert Abraham Michelson Gana el nobel gracias a sus estudios acerca de la velocidad de la luz, además en sus estudios mediante la construcción del interferómetro demuestra la inexistencia del ETER. País: EEUU Año: 1907

Max Planck En Estocolmo, ganador por las aportaciones que realizó en favor al avance de la física, debido a sus descubrimientos sobre los cuantos de energía. Gana el premio nobel gracias a su investigación en la física cuántica “cuantos de energía”, además es el encargado de sugerir la constante de planck la que se relaciona con el estado de menor energía existente y se usa en la mayoría de la física cuántica y de semiconductores. País: Alemania Año: 1918

Albert Einstein En Estocolmo, ganador por sus aportaciones a la física teórica y, especialmente, por el descubrimiento de la ley del efecto fotoeléctrico. Gana el premio nobel gracias a su descubrimiento de la ecuación y las leyes del efecto fotoeléctrico. País: Alemania Año: 1914

Niels Bohr En Estocolmo, ganador por sus servicios en la investigación de la estructura de los átomos y de la radiación que de ellos emana. Gana el nobel debido a su investigación en la estructura atómica, proponer el modelo atómico de bohr y sus 3 postulados. País: Neerland Año: 1902

Manne Siegbahn Gana su premio nobel por trabajar en la espectroscopia de rayos X, la cual es importante hoy día en los semiconductores debido a que el espectro de absorción y de emisión es una importante manera de caracterizar un material. País: Estocolmo Año: 1924

Louis-Victor de Broglie Gano el premio nobel por exponer la naturaleza ondulatoria de los electrones, es decir es el primero en exponer la teoría onda- corpusculo la cual es el principio básico de la física cuántica y de los semiconductores al ser una aplicación de esta. En Estocolmo, ganadores por el descubrimiento de la naturaleza ondulatoria de los electrones. País: Franci Año: 1929

Werner Heisenberg Gana el premio nobel gracias a sus investigaciones en la mecánica cuántica, mas exactamente en al proponer su hipótesis de incertidumbre la cual menciona que no es posible conocer el momento y posición exacto de una partícula al mismo tiempo. País: Alemania Año: 1932

Clinton Joseph Davisson y George Paget Thomson ganadores por sus descubrimientos experimentales de la difracción de los electrones causada por cristales. Clinton Joseph Davisson nacido en Bloomington, el 22 de octubre de 1881, falleció en Charlottesville, el 1 de febrero de Sir George Paget Thomson nacido en Cambridge, el 3 de mayo de 1892 murió en Cambridge, el 10 de septiembre de País: Bloomington Año: 1937

Enrico Fermi Ganador por sus demostraciones sobre la existencia de nuevos elementos radiactivos producidos por la irradiación de neutrones y por su descubrimiento relacionado con las reacciones nucleares producidas por neutrones lentos País: Roma Año: 1938

John Bardeen, Walter Houser y William Bradford Investigaron el comportamiento de los semiconductores en diversos tipos de pruebas y estudios generando artículos conocidos mundialmente, además se conoce que uno de sus experimentos culmino en la creación del transistor el cual es un implemento electrónico muy importante en cada rama de la ingeniería. País: EEUU Año: 1956

John Robert Schrieffer Ganan el nobel por su trabajo conjunto en la teoría de la superconductividad que se basa en la conducción de corriente eléctrica con cero resistencia y sin perdida de energía, usualmente sometiendo algún material especifico a bajas temperaturas. País: EEUU Año: 1972

Leo Esaki y Ivar Giaver En Estocolmo, ganadores por sus descubrimientos experimentales en cuanto a los fenómenos de túnel en semiconductores y superconductores. Leo Esaki nacido en Osaka, Japón, el 12 de marzo de Ivar Giaver nacido en Bergen, Noruega, el 5 de abril de 1929, sigue con vida. País: Osaka Año: 1973

Gerd Binnig y Heinrich Rohrer Ganan el premio nobel debido a que en base al recién descubierto efecto túnel diseñan y construyen el primer microscopio de efecto túnel. Gerd Binnig, físico alemán nacido en Fráncfort del Meno el 20 de julio de Heinrich Rohrer nació en San Galo,el 6 de junio de 1933, murió en Wollerau, el 16 de mayo de Estudios en Escuela Politécnica Federal de Zúrich. País: Alemania Año: 1986

Zhores I. Alferov y Herbert Kroemer Ganan el premio nobel gracias a evolucionar los métodos de fabricación de semiconductores y a partir de estos construir heteroestructura súper ordenadas que se pueden aplicar en el campo de la optoelectrónica o en dispositivos integrados que requieran alta velocidad de transmisión. País: Alemania y Rusia Año: 2000

Willard S. Boyle y George E. Smith Ganan el premio nobel gracias a su trabajo conjunto en la invención del sensor de carga acoplada el cual es un circuito integrado con una serie de condensadores acoplados en los cuales cada condensador puede transmitirá su carga eléctrica a su vecinos de forma selectiva, es el remplazo de los dispositivos CMOS actualmente en especial en el mercado de las cámaras digitales. País: Canada y EEUU Año: 2009

Andre Geim Ganan el premio nobel al desarrollar el material conocido como grafeno, el cual es un material constituido de carbono puro y que se encuentra en un arreglo hexagonal en el plano, es decir tiene tan solo un átomo de altura. Dicho material es importante debido a que a parte de sus optimas características de conducción también se cree capas de resistir 200 veces mas que el acero y además posee la misma densidad de la fibra de carbono lo cual lo hace bastante ligero País: Rusia Año: 2010

Eric Betzig, William E. Moerner y Stefan W. Hell Robert Eric Betzig nació en Ann Arbor, Michigan, Estados Unidos, el 13 de enero de 1960, sigue con vida. William Esco Moerner nació en Pleasanton, California, Estados Unidos, el 24 de junio de 1953,sigue con vida. Stefan W. Hell nació en Arad, Rumanía, el 23 de diciembre de 1962, sigue con vida. En Estocolmo, ganadores por el desarrollo de nuevos métodos para que los microscopios puedan ver detalles más pequeños “nanoscopía”. País: EEUU Año: 2013

François Englert y Peter Higgs Ganadores son el físico Peter Higgs, de la Universidad de Edimburgo (Reino Unido), que propuso la existencia de la partícula elemental, el bosón, que lleva su nombre y Francois Englert, de la Universidad Libre de Bruselas (Bélgica), propusieron el mecanismo por el que los objetos adquieren su masa en el Universo. Barón François Englert nació en Bruselas, Bélgica, el 6 de noviembre de 1932, sigue con vida. Peter Ware Higgs nació en Newcastle, Tyne y Wear, el 29 de mayo de 1929,sigue con vida. País: Belgica Año: 2014