Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a. Metodo Czochralski b. Molecular Beam Epitaxy c. Wafers
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos(Wafers): Después de crecido el cristal, la primera operación a realizar es quitar los extremos del lingote, tanto el de la semilla, como el último extremo crecido. La operación siguiente es desgastar la superficie hasta que quede definido el diámetro del lingote. A continuación, y paralela a la generatriz del cilindro se hacen unas marcas planas para especificar la orientación del cristal y el tipo de conductividad del material. Una vez realizadas estas operaciones, el lingote está preparado para ser cortado en obleas. Cortadas las obleas, las dos caras de estas son tratadas con una mezcla de Al 2 O 3 y glicerina para producir una superficie plana homogénea con un error de "2 μm. Esta operación daña y contamina la superficie y bordes de la oblea. Para reparar estos daños, las obleas son tratadas mediante ataques químicos que posteriormente veremos. El paso final en la obtención de las obleas es el pulido, cuyo propósito es obtener una superficie especular dónde puedan definirse los detalles de los dispositivos electrónicos.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a.3D
b.
C.
D.
CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si
CRISTALOGRAFIA 4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 )