Luis Rodríguez Nelson Tovar Daniel Zorrilla Juan Casas UNION PN Física de semiconductores Luis Rodríguez Nelson Tovar Daniel Zorrilla Juan Casas
Introducción Cuando 2 semiconductores de diferentes dopajes se unen, se produce un efecto de difusión debido a la diferencia de cargas
Nivel de Fermi El nivel de Fermi en ambos semiconductores se estabiliza
Zona de agotamiento En la unión se produce una zona de agotamiento debido a la fuerza de Coulomb de lo iones negativos con los electrones y los iones positivos con los huecos
Polarización en directa Cuando se coloca una tensión en donde la parte positiva se conecta a la zona P, y la parte negativa a la zona N, se produce una corriente por el circuito fuente-semiconductor
Polarización en Inversa Cuando se coloca una tensión en donde la parte positiva se conecta a la zona N, y la parte negativa a la zona P, la zona de agotamiento crece e impide un flujo de corriente.
Aplicaciones La unión PN es usada para generar el diodo semiconductor y el transistor bipolar, ambos son componentes muy importantes en la electrónica.
Conclusiones El gran avance digital es debido al uso de transistores los cuales están basados en la unión de dos semiconductores con diferente dopaje, uno tipo P y el otro tipo N
Referencias Imagen tomada de: http://www.um.es/LEQ/laser/Ch-6/6-22.gif