Impresión: Este póster tiene un ancho de 122 cm y una altura de 92 cm. Está diseñado para imprimirse en una impresora de formato grande. Personalizar el contenido: Los marcadores de posición de este póster ya tienen formato. Especifique los marcadores de posición para agregar texto o haga clic en un icono para agregar una tabla, un gráfico, un gráfico SmartArt, una imagen o un archivo multimedia. Para agregar o quitar viñetas del texto, haga clic en el botón Viñetas de la pestaña Inicio. Si necesita más marcadores de posición para títulos, contenido o texto del cuerpo, haga una copia de lo que necesite y arrástrela a su posición. Las guías inteligentes de PowerPoint le ayudarán a alinearla con el resto del contenido. ¿Desea usar sus propias imágenes en lugar de las nuestras? No hay problema. Haga clic en una imagen, pulse la tecla Supr y luego haga clic en el icono para agregar la imagen. Dopado De Semiconductores Diego Gómez, Luis Montenegro, Juan Calvera | Jaime Villalobos | Universidad Nacional De Colombia – Sede Bogotá ¿Qué es? En la producción de semiconductores se denomina dopaje al proceso de agregar intencionalmente impurezas en el semiconductor puro con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas, las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductor a dopar. Ventajas Del Dopado Con el proceso de dopado se controlas diferentes características del semiconductor, las principales son el tipo de conductividad (tipo N o tipo P), el valor de la resistividad y conductividad eléctrica, y el ancho de la banda prohibida del semiconductor. Tipos De Dopado Impurezas de Valencia 5, los átomos de valencia 5 tienen un electrón de más, el 5° electrón se libera de su átomo y se convierte en un electrón libre, se genera una corriente de electrones en movimiento. Dopado por Difusión Atómica Dopado por Implantación de Iones El sistema de implantación de iones es realmente un acelerador de partículas, consiste en introducir al semiconductor iones de alta energía, los iones son atraídos y acelerados, luego estos iones impactan sobre el blanco (oblea de semiconductor a dopar) y quedan implantados. Impurezas de valencia 3, los átomos tienen un electrón menos en comparación con los otros átomos de la red, lo que genera la presencia de un hueco en la red, con el aumento de la temperatura los electrones de los átomos cuadrivalentes empiezan a moverse gracias a los huecos presentes en la red. Daño sufrido por una oblea al ser impactada por iones Referencias Alanis, A. (s.f.). Slide Share. Obtenido de Dopado de semiconductores por difusion atómica: Gonzales, V. (2007). Universidad Privada TELESUP. Obtenido de Electronica básica: los-semiconductores-dopados Heredia, R. R. (s.f.). Electronica Básica Universidad Nacional de Colombia. Obtenido de Lección 3 Amplificadores como Transistor: html Nolorbe, J. F. (s.f.). Curso de Física de Semiconductores. Obtenido de Universidad politecnica de Chiapas: Impurezas pentavalentes.Impurezas trivalentes Durante la implantación la estructura del semiconductor se ve comprometida y en necesario restaurarla mediante recristalización lo cual se logra con tratamientos térmicos, que permiten recristalizar la estructura y también redistribuir las impurezas. Esquemático de un proceso de difusión con fosforo Acelerador de partículas