Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Para familiarizarse con la estructura del Si Profesor: Jaime Villalobos Velasco Presentado por: Nelson Leonardo Tovar Orjuela Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados a.Método de Czochralski b. Método de crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE) c. Deposición química de vapor (CVD)
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos. RTA/ El crecimiento epitaxial: es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor se hace crecer un sustrato con la misma estructura cristalina. Dependiendo de la forma de transportar el material a crecer desde la fuente hasta el substrato existen tres técnicas fundamentales de crecimiento epitaxial. Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE). Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE).
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a.3D
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: b.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: c.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: d.
CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si Al observar la arista (contenida en el plano z=1), se deduce que por cara unitaria hay 2 átomos:
CRISTALOGRAFIA 4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 )