Universidad Nacional de Colombia Departamento de Física Asignatura Física de Semiconductores Tarea No 2 Presentado Por: Juan Pablo Paredes Guaca (25) Profesor: Jaime Villalobos Velasco Mayo, 2015
CRISTALOGRAFÍA 1. Mencione 3 métodos de crecimiento de materiales atómicos altamente alineados. [incluya URL de videos] a.Método de Czochralski b.Crecimiento Epitaxial por Haces Moleculares c. Epitaxia en Fase Líquida
CRISTALOGRAFÍA 2. Describa con algún detalle el proceso de uno de ellos Método Czochralski: Consiste en tener un semiconductor (Si generalmente) fundido en un crisol que está al vacío. En el crisol se introduce una varilla en cuyo extremo hay un cristal del mismo semiconductor, que actuará como semilla. Cuando la semilla entra en contacto con el semiconductor fundido, éste comienza a solidificarse orientándose de igual forma que la red cristalina de la semilla. La varilla se eleva lentamente y se va formando un monocristal cilíndrico que cuelga de ella. Finalmente, se obtiene un lingote de semiconductor.
CRISTALOGRAFIA 2. Dibuje la estructura del diamante (o silicio) en las direcciones,,, 3D y resalte los átomos internos: a. 3D b. c. d.
CRISTALOGRAFIA a. 3D b. c. d.
CRISTALOGRAFIA 3. Encuentre el número de átomos/cm 2 en la superficie orientada de una oblea de Si La constante de red del Si es 5,43 Å. Hay 2 átomos en la superficie.
CRISTALOGRAFIA 4. A partir del valor de la constante de red (la distancia interatómica) calcule: a) la densidad del Silicio (número de átomos/cm 3 ), b) la densidad del Silicio (gramos/cm 3 )
CRISTALOGRAFIA a) El Si contiene 8 átomos por celda. La constante de red es 5,43 Å.
CRISTALOGRAFIA