ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Slides:



Advertisements
Presentaciones similares
Andrés Felipe Marin Yeison Vélez
Advertisements

Accionadores.
EL DIODO DE POTENCIA Lección 4 Sistemas Electrónicos de Alimentación
Tema VII. Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores.
Dispositivos de Potencia Dispositivos Tiristores
Relevadores Ing. Jorge A. Muro C..
JESÙS JAVIER LEYVA GONZÀLEZ
ELECTRICIDAD.
Tema 7.- CORRIENTE ELÉCTRICA
INDICE DEL TEMA 1. Introducción. Dispositivos electrónicos de potencia
Tema 2: Semiconductores
Diodo + - V I. Diodo + - V I 0ºK Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor intrínseco Si Si 0ºK Si Si: silicio Grupo.
Práctica 2. Introducción. MOSFET Conmutación del MOSFET
EL TIRISTOR (Thyristor)
Rubén Darío Vargas León
EL SCR.
La unión P-N La unión P-N en equilibrio - + Semiconductor tipo P
Electricidad Tecnología E.S.O. (Primer ciclo).
Dispositivos de Potencia
DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodos Electrónica I.
SEMICONDUCTORES.
LOS HORNOS DE FUSIÓN DE METALES - LOS HORNOS DE REDUCCIÓN DE MINERALES
ELECTRONICA DE POTENCIA
“apagado”(Vz > V > 0V)
ELECTRÓNICA Y AUTOMATISMOS
POR M.C. ISMAEL MOLINA MORENO
SEMICONDUCTORES Los conductores conducen la corriente eléctrica
Tema VII. Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores.
Instalación eléctrica de la vivienda.
Fuentes de alimentación reguladas
Elena Abella García COMPONENTES Diodos Transistores.
DIODO TUNEL. CONSTRUCCION INTRODUCCION Para producir una ruptura zener o una descarga de avalancha, se debe dar energía suficiente a los.
Diodo túnel.
INSTITUTO TECNOLOGICO DE SALTILLO
Capítulo 5: El Transistor de Efecto Campo (FET)
Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ
Unidad 5: “DIODOS Y TIRISTORES”.
LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Electrónica de Potencia
MANIOBRAS EN LA RED ELECTRICA
Tecnología E.S.O. (Primer ciclo) ELECTRICIDAD.
Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. (Es la máxima tensión en sentido inverso que puede.
Electrónica Análoga I Prof. Gustavo Patiño. M.Sc, Ph.D. MJ
Teoría de funcionamiento delos diodos de cuatro capas.
Convirtiendo la corriente alterna en continua
El Diodo PolarizacióN del diodo Diodo Ideal Diodo Real Caracterización Voltaje-Corriente Prof. Gustavo Patiño. M.Sc. Ph.D MJ
Instalación eléctrica de la vivienda.
Cálculo de las ICC por el método de las impedancias
ELECTRONICA TERCERO ESO tema8.
Accionadores. Accionadores ¿Utilizamos accionador eléctrico o no? no pueden modificarse las curvas de capacidad de carga; el motor producirá un par.
Dispositivos de potencia
Los Componentes Electrónicos
Tema 1: Componentes Electrónicos
DIODO LED DEFINICION Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se.
MEDICIONES ELECTRICAS Y SUS INSTRUMENTOS DE MEDIDA
Dispositivos de cuatro capas (PNPN)
INSTITUCIÓN EDUCATIVA ATENEO
FUENTES DE LA CORRIENTE ELECTRICA
La electricidad y sus aplicaciones.
Electrónica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica.
Tecnología e Informática
Características eléctricas del diodo zener.
EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
TEMA II Electrónica Analógica
Circuitos: Circuitos electrónicos
TEMA 3. FABRICACIÓN POR UNIÓN ENTRE PIEZAS TEMA 1. CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 1. Introducción. 2. Magnitudes. Unidades. Medidas. 3. Leyes. 4. El circuito eléctrico.
Las fuentes de alimentación
EL TIRISTOR (Thyristor)
Transistores de efecto campo
Transcripción de la presentación:

ELECTRÓNICA DE POTENCIA Presentación del F10

La electrónica de potencia esta situada en la frontera o unión entre la electrónica (corrientes débiles) y la electricidad (corrientes fuertes o altas) y fue la aparición de los semiconductores de potencia que permitió su desarrollo.

Electrónica de potencia

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos, el tiristor y transistores de potencia.

De los anteriores dispositivos se derivaron otros como: los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor unión o UJT, el transistor unión programable o PUT y el diodo Shockley, fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO)

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro

La impedancia es una magnitud que establece la relación (cociente) entre la tensión y la intensidad de corriente

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

bloques básicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales

Semiconductores de alta potencia Modulos de potencia Semiconductores de baja potencia

Aplicaciones : Tracción eléctrica: troceadores y convertidores. Industria: Control de motores asíncronos. Inversores. Rectificadores. Etc.

Aplicaciones : Soldadura al arco. Sistema de alimentación interrumpida (SAI). Control de motores. Tracción eléctrica

Aplicaciones : Control de motores. aplicaciones domésticas. Cargadores de baterías. Control de iluminación. Control numérico. Ordenadores, etc.

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

Diodos de potencia

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

características más importantes del diodo

Características estáticas Potencias Características dinámicas: Características térmicas Protección contra intensidades

Potencia máxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo.

Modelo estático Parámetros en conducción. Parámetros en bloqueo (paralización inversa) Modelo estático

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.

Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa

Tiempo de recuperación inverso (trr). Influencia del trr en la conmutación. Tiempo de recuperación directo.

Temperatura de la unión (Tjmáx) Temperatura de almacenamiento (Tstg) Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores, carga de condesadores, utilización en régimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica).

Órganos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y poreso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensión.

Video 1. Video 2