Para ver la presentación de los temas hacer click en Continue Investigadores Andrea Barral Ana María Llois Verónica Vildosola Colaboraciones con grupos internos y externos: Centro Atómico Bariloche, Universidad de Rosario, IPCMS- Estrasburgo, Universidad de París 6 y 7, Universidad de Ohio, Centro de Investigaciones de Juelich.

Propuestas de trabajo (en general) Física computacional : Cálculo de propiedades electrónicas, magnéticas y de transporte usando: Códigos de primeros principios y parametrizados, Monte Carlo cuántico Sistemas nanoscópicos: superredes, junturas, superficies Espintrónica: óxidos semiconductores magnéticos. Nuevo magnetismo, GMR, TMR Resolución de Hamiltonianos many body. Aplicación de Teoría de Campos a problemas de Materia Condensada: Implementación de técnicas diagramáticas de cálculo. Aplicaciones a sistemas con Cerio y Uranio. VINCULACION CON GRUPOS EXPERIMENTALES Experimentos----Teoría----Física Computacional

Sistemas nanoscópicos

Manipulación atómica e interacciones magnéticas Es esencial comprender las propiedades electrónicas y magnéticas a escala atómica para fabricar dispositivos nanoscópicos con aplicaciones en espintrónica. Con STM se puede manipular y “medir” interacciones magnéticas entre átomos. Realizamos cálculos electrónicos para desentrañar la naturaleza de las interacciones magnéticas en cadenas de átomos de distinto tipo. Este tema tiene potencial aplicación a computación cuántica.

Confinamiento electrónico en nanoestructuras Gracias a los avances tecnológicos hoy se pueden fabricar sistemas nanoscópicos en los que se observan manifestaciones del confinamiento cuántico de electrones en baja dimensión. Se puede pensar en una ingeniería de niveles electrónicos que permita manipular el comportamiento magnético y electrónico en las nanoestructuras. Realizamos simulaciones para colaborar en la interpretación de la enorme cantidad de resultados experimentales que existen.

Espintrónica

Buscando buenos inyectores de espín Con el incentivo de crear semiconductores ferromagnéticos a temperatura ambiente para su aplicación en el campo de la espintrónica, se han realizado recientemente experimentos en distintos materiales, tanto óxidos como metálicos. Realizamos simulaciones numéricas para estudiar las propiedades electrónicas y magnéticas de nuevos materiales, analizando el rol de las impurezas, efectos de vacancia, de interfases y sustratos sobre el magnetismo y el transporte. Para el transporte usamos teoría semiclásica y analizamos la topología y características de la superficie de Fermi con el fin de predecir y entender los fenómenos en estudio

Transporte túnel a través de junturas metal/semiconductor  Junturas túnel magnéticas: barreras semiconductoras 'ensandwicheadas' entre electrodos ferromagnéticos.  Prototipo de sistema nanoscópico: transporte dependiente de espín y efecto de Magnetorresistencia Túnel.  Intensamente investigadas: futuro prometedor en dispositivos espintrónicos.  Testeo de modelos y teorías de transporte electrónico: comprender la vinculación entre propiedades electrónicas, magnéticas e interfacial/estructurales. OBJETIVO: Encontrar sistemas con valores grandes de Magnetorresistencia Túnel Usamos el formalismo de Funciones de Green fuera del equilibrio haciendo uso de una descripción realista de los materiales en estudio

Sistemas fuertemente correlacionados

Sistemas fuertemente correlacionados  Teoría de campos aplicada a materia condensada  Resolución no perturbativa de Hamiltoniano modelo  Diagramas de Feynman con correcciones de vértice  Combinación de cálculos de primeros principios con teorías de muchos cuerpos Aplicaciones a compuestos de Cerio y Uranio (por ejemplo)