Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA FACULTAD DE INGENIERÍA ESCUELA DE COMPUTACIÓN ASIGNATURA: ELECTRÓNICA Unidad 2: Circuitos Electrónicos con Transistores PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Numero de Electrones: E > C y C >> B
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Estructura Interna y Simbología Diodo Colector Base (Salida) Diodo Emisor Base (Entrada) Aspecto
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Corrientes en los Diodos de Entrada y Salida Análisis de Corrientes del BJT IC IE IB e IC IB e Según LKC: IE = IB + IC IB << IC IE es aproximadamente igual a IC e IE β = Ganancia de Corriente Relación de corriente de salida sobre la corriente de entrada. Diodo BE (Pol Directa) Diodo BC (Pol Inversa) La mayor cantidad de electrones se mueven del Emisor al Colector y una pequeña cantidad salen por la Base. β = IC / IB
R I + – V EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Circuito básico de polarización Emisor Común BJT NPN + – V BB CC R C B I E BE CE Parámetros Etapa de Entrada: VBB = Voltaje de la Fuente de Base RB = Resistencia de polarización por la Base IB = Corriente de Base VBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio Parámetros Etapa de Salida: VCC = Voltaje de la Fuente de Colector RC = Resistencia limitadora de Colector IC = Corriente de Colector VCE = Voltaje Colector-Emisor IE = Corriente de Emisor
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Curva característica del BJT y Zonas de Operación Zona Activa Recta de Carga Zona Saturación Zona Corte Punto de Operación (Q)
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Funciones básicas del BJT en Emisor Común Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación